NTE612

更新时间： 2024-11-24 21:55:27

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NTE		二极管变容二极管
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描述
Voltage Variable Capacitance Diode (Tuning Diode)

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NTE612 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	O-PBCY-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	2.13
Is Samacsys：	N	最小击穿电压：	30 V
配置：	SINGLE	二极管电容容差：	10%
最小二极管电容比：	2.5	标称二极管电容：	12 pF
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码：	O-PBCY-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
最大功率耗散：	0.28 W	认证状态：	Not Qualified
最小质量因数：	400	最大重复峰值反向电压：	30 V
子类别：	Varactors	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
Base Number Matches：	1

NTE612 数据手册

NTE610 thru NTE614

Voltage Variable Capacitance Diode

(Tuning Diode)

Description:

These diodes are designed for high volume requirements of FM Radio and TV tuning and AFC, gener-

al frequency control and tuning applications; providing solid–state reliability in replacement of me-

chanical tuning methods.

Features:

D High Q with Guaranteed Minimum Values

D Controlled and Uniform Tuning Ratio

D Standard Capacitance Tolerance – 10%

Absolute Maximum Ratings:

Reverse Voltage, V_R. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V

Forward Current, I_F. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mA

Device Dissipation (T_A= 25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 280mW

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.8mW/°C

Note 1. The NTE611 & NTE612 are discontinued devices and no longer available.

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Reverse Breakdown Voltage

Reverse Voltatge Leakage Current

Series Inductance

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

V_(BR)RI_R= 10µA

–

0.1

–

I_R

L_S

V_R= 25V, T_A= +25°C

µA

f = 250MHz, Lead Length 1/16”

f = 1MHz, Lead Length 1/16”

V_R= 4V, f = 1MHz

–

Case Capacitance

C_C

TC_C

–

0.18

–

Diode Capacitance Temperature

Coefficient

–

280 400 ppm/°C

Diode Capacitance

NTE610

C_T

V_R= 4V, f = 1MHz

6.1 6.8 7.5

9.0 10.0 11.0

10.8 12.0 13.2

19.8 22.0 24.2

29.7 33.0 36.3

NTE611

NTE612

NTE613

NTE614

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NTE612 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BB181,115	NXP	类似代替	BB181 - VHF variable capacitance diode SOD 2-Pin
BB640	INFINEON	类似代替	Silicon Variable Capacitance Diode (For Hyperband TV/VTR tuners, Bd I)

与NTE612相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE6120	NTE	获取价格	Industrial Rectifier, 500 Amp
NTE6121	NTE	获取价格	Industrial Rectifier, 1200 Amp
NTE6122	NTE	获取价格	Industrial Rectifier, 2200 Amp
NTE6128	NTE	获取价格	Silicon Power Rectifier Diode, 430 Amp
NTE6129	NTE	获取价格	Silicon Power Rectifier Diode, 700 Amp
NTE613	NTE	获取价格	Voltage Variable Capacitance Diode (Tuning Diode)
NTE614	NTE	获取价格	Voltage Variable Capacitance Diode (Tuning Diode)
NTE615	NTE	获取价格	Integrated Circuit Voltage Stabilizer for Electronic Tuner
NTE6154	NTE	获取价格	Silicon Industrial Rectifier, 150 Amp, General Purpose
NTE6155	ETC	获取价格

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