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HVC355B-E

更新时间: 2024-10-29 21:10:11
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS ISM频段光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 143K
描述
6.8pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, ULTRA SMALL, UFP-2

HVC355B-E 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred包装说明:R-PDSO-F2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.13配置:SINGLE
二极管电容容差:5.88%最小二极管电容比:2.2
标称二极管电容:6.8 pF二极管元件材料:SILICON
二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-F2
JESD-609代码:e6湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:TIN BISMUTH端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:20
Base Number Matches:1

HVC355B-E 数据手册

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HVC355B  
Variable Capacitance Diode for VCO  
REJ03G0084-0100Z  
(Previous: ADE-208-416)  
Rev.1.00  
Sep.17.2003  
Features  
High capacitance ratio. (n = 2.20 min)  
Low series resistance. (rs = 0.6 max)  
Ultra small Flat Package (UFP) is suitable for surface mount design.  
Ordering Information  
Type No.  
Laser Mark  
Package Code  
UFP  
HVC355B  
B1  
Pin Arrangement  
Cathode mark  
Mark  
1
2
B1  
1. Cathode  
2. Anode  
Rev.1.00, Sep.17.2003, page 1 of 4  

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