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HVC350BTRF-E

更新时间: 2024-10-29 13:08:27
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 二极管变容二极管
页数 文件大小 规格书
5页 143K
描述
15V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE

HVC350BTRF-E 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-F2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.14
Is Samacsys:N最小击穿电压:15 V
配置:SINGLE最小二极管电容比:2.8
二极管元件材料:SILICON二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-F2JESD-609代码:e6
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:TIN BISMUTH
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:20Base Number Matches:1

HVC350BTRF-E 数据手册

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HVC350B  
Variable Capacitance Diode for VCO  
REJ03G0083-0100Z  
(Previous: ADE-208-414)  
Rev.1.00  
Sep.17.2003  
Features  
High capacitance ratio. (n = 2.8 min)  
Low series resistance. (rs = 0.5 max)  
Good C-V linearity.  
Ultra small Flat Package (UFP) is suitable for surface mount design.  
Ordering Information  
Type No.  
Laser Mark  
Package Code  
UFP  
HVC350B  
B0  
Pin Arrangement  
Cathode mark  
Mark  
1
2
B0  
1. Cathode  
2. Anode  
Rev.1.00, Sep.17.2003, page 1 of 4  

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