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HUM2010D

更新时间： 2024-02-27 00:58:35

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		PIN二极管开关测试高功率电源
页数	文件大小	规格书
4页	83K
描述
Pin Diode, 1000V V(BR), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2

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HUM2010D 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	O-MUPM-X1
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.72
其他特性：	HIGH RELIABILITY, LOW DISTORTION	应用：	SWITCHING
外壳连接：	ANODE	配置：	SINGLE
最大二极管电容：	4 pF	二极管元件材料：	SILICON
最大二极管正向电阻：	0.2 Ω	二极管类型：	PIN DIODE
JESD-30 代码：	O-MUPM-X1	JESD-609代码：	e4
少数载流子标称寿命：	30 µs	元件数量：	1
端子数量：	1	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	技术：	POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE
端子面层：	GOLD	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

HUM2010D 数据手册

HUM2010/HUM2015/HUM2020

PIN DIODE HIGH POWER STUD

W AT E R T OW N D I V I S I O N

DESCRIPTION

KEY FEATURES

!"High Power Stud Mount

Package

!"High Zero Bias Impedance

!"Very Low Inductance and

Capacitance

!"No Internal Lead Straps

!"Small Mechanical Outline

With high isolation, low loss, and low distortion characteristics, this

Microsemi Power PIN diode is perfect for the high power switching

applications where size and power handling capability are critical.

Its advantages also include the low forward bias resistance and high

zero bias impedance that are essential for low loss, high isolation and wide

bandwidth performance.

Hermetically sealed, SOGO passivated PIN chips with full-faced

metallurgical bonds on both sides to achieve high reliability and high surge

capability.

APPLICATIONS/BENEFITS

•

MRI Applications

•

High Power Antenna Switching

IMPORTANT:

For the most current data, consult MICROSEMI’s website: http://www.microsemi.com

Voltage Ratings [25°C]

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Reverse Voltage

Part type

Maximum Reverse Voltage

1000/1500/2000 V

13 W

(V_R) - Volts

Average Power Dissipation @ Stud = 50°C

I_R= 10µA

1000V

1500V

Non-Repetitive Sinusoidal Surge Current (8.3 ms)

Storage Temperature Range

100 A

65°C to +175°C

55°C to +150°C

7.5°C / W

HUM2010

HUM2015

HUM2020

2000V

Operating Temperature Range

Thermal Resistance

ELECTRICAL SPECIFICATIONS [25°C]

Test

Min

Typ

Max

Units

Conditions

Ω

Diode Resistance R_S

Capacitance C_T

F = 4 MHz, I =0.5 A

F = 1 MHz, 100 V

0.10

3.4

0.20

4.0

V_R@ Rated Voltage

µA

µs

Reverse Current I_R

I =10 mA / 100 V

F = 10 MHz, 100 V

Carrier Lifetime τ

Parallel Resistance R_P

KΩ

200

Forward Voltage V

I = 0.5 A

0.85

1.0

MSC0874.PDF 2000-08-23

Microsemi

Page 1

Watertown Division

580 Pleasant Street, Watertown, MA. 02172, 617-926-0404, Fax: 617-924-1235

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HUM2010DE3	MICROSEMI	获取价格	Pin Diode, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
HUM2010R	MICROSEMI	获取价格	Pin Diode, Silicon,
HUM2010SME3	MICROSEMI	获取价格	Pin Diode, Silicon, HERMETIC SEALED, MELF-2
HUM2015	MICROSEMI	获取价格	PIN DIODE HIGH POWER STUD
HUM2015B	MICROSEMI	获取价格	Pin Diode, 1500V V(BR), Silicon, HERMETIC SEALED, AXIAL PACKAGE-2
HUM2015C	MICROSEMI	获取价格	暂无描述
HUM2015CE3	MICROSEMI	获取价格	Pin Diode, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-1
HUM2015CR	MICROSEMI	获取价格	Pin Diode, 1500V V(BR), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-1
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