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HUM2015

更新时间： 2024-02-10 15:48:00

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美高森美 - MICROSEMI		二极管高功率电源
页数	文件大小	规格书
4页	83K
描述
PIN DIODE HIGH POWER STUD

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HUM2015 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	MELF	包装说明：	O-LELF-R2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.18	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	应用：	SWITCHING
最小击穿电压：	1500 V	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	最大二极管电容：	4 pF
标称二极管电容：	3.4 pF	二极管元件材料：	SILICON
最大二极管正向电阻：	0.2 Ω	二极管电阻测试电流：	500 mA
二极管电阻测试频率：	4 MHz	二极管类型：	PIN DIODE
JESD-30 代码：	O-LELF-R2	JESD-609代码：	e0
少数载流子标称寿命：	30 µs	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大功率耗散：	13 W	认证状态：	Not Qualified
反向测试电压：	100 V	子类别：	PIN Diodes
表面贴装：	YES	技术：	POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	WRAP AROUND
端子位置：	END	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

HUM2015 数据手册

HUM2010/HUM2015/HUM2020

PIN DIODE HIGH POWER STUD

W AT E R T OW N D I V I S I O N

DESCRIPTION

KEY FEATURES

!"High Power Stud Mount

Package

!"High Zero Bias Impedance

!"Very Low Inductance and

Capacitance

!"No Internal Lead Straps

!"Small Mechanical Outline

With high isolation, low loss, and low distortion characteristics, this

Microsemi Power PIN diode is perfect for the high power switching

applications where size and power handling capability are critical.

Its advantages also include the low forward bias resistance and high

zero bias impedance that are essential for low loss, high isolation and wide

bandwidth performance.

Hermetically sealed, SOGO passivated PIN chips with full-faced

metallurgical bonds on both sides to achieve high reliability and high surge

capability.

APPLICATIONS/BENEFITS

•

MRI Applications

•

High Power Antenna Switching

IMPORTANT:

For the most current data, consult MICROSEMI’s website: http://www.microsemi.com

Voltage Ratings [25°C]

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Reverse Voltage

Part type

Maximum Reverse Voltage

1000/1500/2000 V

13 W

(V_R) - Volts

Average Power Dissipation @ Stud = 50°C

I_R= 10µA

1000V

1500V

Non-Repetitive Sinusoidal Surge Current (8.3 ms)

Storage Temperature Range

100 A

65°C to +175°C

55°C to +150°C

7.5°C / W

HUM2010

HUM2015

HUM2020

2000V

Operating Temperature Range

Thermal Resistance

ELECTRICAL SPECIFICATIONS [25°C]

Test

Min

Typ

Max

Units

Conditions

Ω

Diode Resistance R_S

Capacitance C_T

F = 4 MHz, I =0.5 A

F = 1 MHz, 100 V

0.10

3.4

0.20

4.0

V_R@ Rated Voltage

µA

µs

Reverse Current I_R

I =10 mA / 100 V

F = 10 MHz, 100 V

Carrier Lifetime τ

Parallel Resistance R_P

KΩ

200

Forward Voltage V

I = 0.5 A

0.85

1.0

MSC0874.PDF 2000-08-23

Microsemi

Page 1

Watertown Division

580 Pleasant Street, Watertown, MA. 02172, 617-926-0404, Fax: 617-924-1235

12 3 4

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