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HUM2015B

更新时间： 2024-02-07 07:37:34
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美高森美 - MICROSEMI 开关测试二极管
页数 文件大小 规格书
5页 232K
描述
Pin Diode, 1500V V(BR), Silicon, HERMETIC SEALED, AXIAL PACKAGE-2

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HUM2015B 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：O-XALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.17其他特性：HIGH RELIABILITY
应用：SWITCHING最小击穿电压：1500 V
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
最大二极管电容：4 pF标称二极管电容：3.4 pF
二极管元件材料：SILICON最大二极管正向电阻：0.2 Ω
二极管电阻测试电流：500 mA二极管电阻测试频率：4 MHz
二极管类型：PIN DIODEJESD-30 代码：O-XALF-W2
JESD-609代码：e0少数载流子标称寿命：30 µs
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：13 W
认证状态：Not Qualified反向测试电压：100 V
子类别：PIN Diodes表面贴装：NO
技术：POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE端子面层：TIN LEAD
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

HUM2015B 数据手册

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HUM2001/HUM2020 SERIES  
Pin Diode High Power Stud  
PRODUCT PREVIEW/PRELIMINARY  
KEY FEATURES  
DESCRIPTION  
With high isolation, low loss, and low distortion characteristics, this  
Microsemi Power PIN diode is perfect for the high power switching  
applications where size and power handling capability are critical.  
Its advantages also include the low forward bias resistance and high zero  
bias impedance that are essential for low loss, high isolation and wide  
bandwidth performance.  
ꢀ High Power Stud Mount Package.  
ꢀ High Zero Bias Impedance  
ꢀ Very Low Inductance and  
Capacitance.  
ꢀ No Internal Lead Straps.  
ꢀ Small Mechanical Outline.  
Hermetically sealed, SOGO passivated PIN chips with full-faced metallurgical  
bonds on both sides to achieve high reliability and high surge capability.  
APPLICATIONS/BENEFITS  
ꢀ
ꢀ
MRI Applications.  
High Power Antenna Switching.  
IMPORTANT: For the most current data, consult MICROSEMI’s website: http://www.microsemi.com  
VOLTAGE RATING [25°C]  
Reverse  
Part type  
Voltage  
(VR) – Volts  
IR = 10µA  
100V  
HUM2001  
HUM2005  
HUM2010  
HUM2015  
HUM2020  
Style “D”  
Style “C”  
Stud  
Style “B”  
Style “SM”  
Melf  
500V  
Insulated Stud  
Round Axial Leads  
1000V  
1500V  
2000V  
Maximum Ratings @ 25ºC  
(UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)  
TYPE  
Parameter  
S ymb o l  
HUM2001  
HUM2005  
HUM2010  
HUM2015  
HUM2020  
Unit  
Maximum Reverse  
Voltage  
TRWM  
100  
500  
1000  
1500  
2000  
V
Average Power  
Dissipation  
IO  
13  
13  
13  
13  
13  
W
A
@ Stud =50°C  
Non-Repetitive  
Sinusoidal Surge  
Current (8.3 ms)  
Storage  
I
100  
100  
100  
100  
100  
-65 to  
+175  
-65 to  
+175  
-65 to  
+175  
-65 to  
+175  
-65 to  
+175  
Temperature  
Range  
TSTG  
TSTG  
RθJC  
°C  
Operating  
-55 to  
+150  
-55 to  
+150  
-55 to  
+150  
-55 to  
+150  
-55 to  
+150  
Temperature  
Range  
°C  
Thermal resistance  
Junction-to Case  
“C” Stud only  
7.5  
7.5  
7.5  
7.5  
7.5  
°C/W  
Copyright 2000  
MSCXXXX.PDF 2002-08-08  
Microsemi  
Page 1  
12345

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