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HUM3004 PDF预览

HUM3004

更新时间： 2024-01-08 22:12:29
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 274K
描述
High Voltage, High Power Pin Diode

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HUM3004 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：DO-4
包装说明：O-XUPM-N1针数：1
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.77
应用：SWITCHING外壳连接：ANODE
配置：SINGLE最大二极管电容：5 pF
二极管元件材料：SILICON最大二极管正向电阻：0.2 Ω
二极管类型：PIN DIODEJEDEC-95代码：DO-4
JESD-30 代码：O-XUPM-N1JESD-609代码：e0
少数载流子标称寿命：30 µs元件数量：1
端子数量：1封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：ROUND封装形式：POST/STUD MOUNT
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
技术：POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE端子面层：TIN LEAD
端子形式：NO LEAD端子位置：UPPER
Base Number Matches：1

HUM3004 数据手册

 浏览型号HUM3004的Datasheet PDF文件第2页 
HUM3002/3003/3004  
High Voltage, High Power Pin Diode  
PRODUCT PREVIEW/PRELIMINARY  
KEY FEATURES  
DESCRIPTION  
These Microsemi PIN diodes are perfect for high power switching  
applications where high isolation, low loss, low distortion characteristics, and  
high power handling capability are critical. These PIN diodes utilize  
Microsemi’s SOGO passivation process for superior stable high voltage  
operation. The package is a modified DO-4 structure for ease of mount down  
with excellent thermal properties. No thin internal straps are used for  
electrical connections. A surge current of 150 amperes at half sine 8.3 ms is  
easily handled.  
ꢀ Non-magnetic Package For MRI  
Application.  
ꢀ High Power, High Voltage  
Package (4 kV -40 kW)  
ꢀ Stable High Voltage Chip  
Passivation.  
ꢀ High Current Rating.  
ꢀ High Surge Current Rating.  
ꢀ Low Rs, Low Loss, Low Distortion  
Design.  
IMPORTANT:DFoOr t-h4e mosPt cIuNrrent data, consult MICROSEMI’s website: http://www.microsemi.com  
DIODE  
APPLICATIONS/BENEFITS  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
MRI Applications.  
High Power Antenna Switching.  
Band Switching.  
Industrial Heating.  
Maximum Ratings @ 25ºC  
(UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)  
TYPE  
Parameter  
S ymb o l  
HUM3002  
HUM3003  
HUM3004  
Unit  
Reverse Voltage  
IR = 10µA  
VR  
2,000  
3,000  
4,000  
V
Average Power  
Dissipation  
IO  
PRF  
IFSM  
50  
50  
50  
W
kW  
A
@ Stud =50°C  
RF Power Handling  
Capability(CW)  
@Zo = 50 OHms  
Rs = 0.1 OHM  
@ Stud =50°C  
Non-Repetitive  
Sinusoidal Surge  
Current (8.3 ms)  
Storage Temperature  
Range  
40  
40  
40  
150  
150  
150  
-55°C to  
+150°C  
-55°C to  
+125  
-55°C to  
+150°C  
-55°C to  
+125  
-55°C to  
+150°C  
-55°C to  
+125  
TSTG  
TOP  
°C  
°C  
Operating Temperature  
Range  
Thermal resistance  
Junction-to Case  
1.5  
1.5  
1.5  
°C/W  
RθJC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
Typ.  
0.1  
Max  
0.2  
5.0  
10  
Units  
Ω
F= 10 MHz, If = 250 mA  
F= 1 MHz, 100 V  
VR @ Rated Voltage  
If = 10 mA / 100 V  
F= 1 MHz, 100 V  
If = 0.5 A  
Diode Resistance  
Capacitance CT  
Reverse Current  
Carrier Lifetime  
Parallel Resistance  
Forward Voltage  
RS  
CT  
IR  
4.3  
pF  
µA  
µs  
20  
5
30  
τ
RP  
Vf  
kΩ  
V
0.75  
Microsemi  
12

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