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HUF75329D3S

更新时间： 2024-01-05 01:34:16
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关
页数 文件大小 规格书
10页 223K
描述
20A, 55V, 0.026 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs

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HUF75329D3S 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.11
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (ID)：20 A
最大漏源导通电阻：0.026 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：COMMERCIAL表面贴装：YES
端子面层：NOT SPECIFIED端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

HUF75329D3S 数据手册

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HUF75329D3, HUF75329D3S  
Data Sheet  
December 2001  
20A, 55V, 0.026 Ohm, N-Channel UltraFET  
Power MOSFETs  
Features  
• 20A, 55V  
These N-Channel power MOSFETs  
are manufactured using the  
innovative UltraFET® process. This  
• Simulation Models  
- Temperature Compensated PSPICE® and SABER™  
Models  
advanced process technology  
- SPICE and SABER Thermal Impedance Models  
Available on the WEB at: www.fairchildsemi.com  
achieves the lowest possible on-resistance per silicon area,  
resulting in outstanding performance. This device is capable  
of withstanding high energy in the avalanche mode and the  
diode exhibits very low reverse recovery time and stored  
charge. It was designed for use in applications where power  
efficiency is important, such as switching regulators,  
switching converters, motor drivers, relay drivers, low-  
voltage bus switches, and power management in portable  
and battery-operated products.  
• Peak Current vs Pulse Width Curve  
• UIS Rating Curve  
• Related Literature  
- TB334, “Guidelines for Soldering Surface Mount  
Components to PC Boards”  
Symbol  
Formerly developmental type TA75329.  
D
Ordering Information  
PART NUMBER  
PACKAGE  
TO-251AA  
TO-252AA  
BRAND  
75329D  
75329D  
G
HUF75329D3  
HUF75329D3S  
S
NOTE: When ordering, use the entire part number. Add the suffix T to  
obtain the TO-252AA variant in tape and reel, e.g., HUF75329D3ST.  
Packaging  
JEDEC TO-251AA  
JEDEC TO-252AA  
SOURCE  
DRAIN  
(FLANGE)  
DRAIN  
GATE  
DRAIN  
(FLANGE)  
GATE  
SOURCE  
Product reliability information can be found at http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html  
For severe environments, see our Automotive HUFA series.  
All Fairchild semiconductor products are manufactured, assembled and tested under ISO9000 and QS9000 quality systems certification.  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
HUF75329D3, HUF75329D3S Rev. B  
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HUF75329D3S 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
HUF75329D3S FAIRCHILD

当前型号

 20A, 55V, 0.026 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
IRFR024NTRPBF INFINEON

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
HUF75329D3S_NL FAIRCHILD Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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HUF75329D3ST ONSEMI N 沟道，UltraFET 功率 MOSFET，55V，20A，26mΩ

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