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HSM880GE3

更新时间： 2024-02-10 07:57:07

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		功效瞄准线测试光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	107K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 80V V(RRM), Silicon, DO-215AB, DO-215AB, 2 PIN

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HSM880GE3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-215AB	包装说明：	R-PDSO-G2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.58	其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT, LOW POWER LOSS
应用：	EFFICIENCY	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.78 V	JEDEC-95代码：	DO-215AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G2	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值正向电流：	300 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	8 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	80 V	最大反向电流：	500 µA
反向测试电压：	80 V	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HSM880GE3/TR13	MICROSEMI	获取价格	DIODE SCHOTTKY 80V 8A DO215AB
HSM880J	ETC	获取价格	Schottky Rectifier
HSM880J/TR13	MICROSEMI	获取价格	DIODE SCHOTTKY 80V 8A DO214AB
HSM880JE3/TR13	MICROSEMI	获取价格	DIODE SCHOTTKY 80V 8A DO214AB
HSM88AS	TYSEMI	获取价格	MPAK package is suitable for high density surface mounting and high speed assembly
HSM88AS	HITACHI	获取价格	Silicon Schottky Barrier Diode for Balanced Mixer
HSM88AS	KEXIN	获取价格	Silicon Schottky Barrier Diode
HSM88AS	RENESAS	获取价格	Silicon Schottky Barrier Diode for Balanced Mixer
HSM88AS-E	RENESAS	获取价格	SILICON, MIXER DIODE, MPAK-3
HSM88ASR	TYSEMI	获取价格	MPAK package is suitable for high density surface mounting and high speed assembly