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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | R-PDSO-J2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.77 |
| 其他特性： | FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT, LOW POWER LOSS | 应用： | EFFICIENCY |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.78 V |
| JEDEC-95代码： | DO-214AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-J2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 300 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 最大输出电流： | 8 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 最大重复峰值反向电压： | 80 V | 最大反向电流： | 500 µA |
| 反向测试电压： | 80 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | J BEND | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HSM880JE3/TR13 | MICROSEMI |
获取价格 |
DIODE SCHOTTKY 80V 8A DO214AB |
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| HSM88AS | TYSEMI |
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MPAK package is suitable for high density surface mounting and high speed assembly |
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| HSM88AS | HITACHI |
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Silicon Schottky Barrier Diode for Balanced Mixer |
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| HSM88AS | KEXIN |
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Silicon Schottky Barrier Diode |
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| HSM88AS | RENESAS |
获取价格 |
Silicon Schottky Barrier Diode for Balanced Mixer |
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| HSM88AS-E | RENESAS |
获取价格 |
SILICON, MIXER DIODE, MPAK-3 |
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| HSM88ASR | TYSEMI |
获取价格 |
MPAK package is suitable for high density surface mounting and high speed assembly |
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| HSM88ASR | KEXIN |
获取价格 |
Silicon Schottky Barrier Diode |
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| HSM88ASR | RENESAS |
获取价格 |
Silicon Schottky Barrier Diode for Balanced Mixer |
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| HSM88ASR | HITACHI |
获取价格 |
Silicon Schottky Barrier Diode for Balanced Mixer |
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