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HSM88ASR

更新时间： 2024-01-08 14:33:23

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1页	58K
描述
MPAK package is suitable for high density surface mounting and high speed assembly

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HSM88ASR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.60	风险等级：	5.67
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	最大二极管电容：	0.85 pF
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	MIXER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
Base Number Matches：	1

HSM88ASR 数据手册

Product specification

HSM88ASR

SOT-23

Unit: mm

+0.1

-0.1

2.9

0.4

+0.1

-0.1

Features

Proof against high voltage.

MPAK package is suitable for high density surface mounting and high speed assembly.

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

-0.1

1.9

1.Base

2.Emitter

3.collector

A bsolute M axim um R atings T a = 25

P aram eter

R everse voltage

S ym bol

V R

V alue

U nit

A verage rectified current

Junction tem perature

S torage tem perature

m A

T j

125

T stg

-55 to + 125

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Forward voltage

Symbol

Conditions

Min

350

500

Typ

Max

420

580

0.2

Unit

IF = 1 mA

IF = 10 mA

VR = 2 V

Reverse current

VR = 10 V

Capacitance

VR =0 V, f = 1 MHz

0.85

0.10

Capacitance deviation

Forward voltage deviation

ÄC

ÄVF

IF = 10 mA

C=200pF , Both forward and

reverse direction 1 pulse.

ESD-Capability (Note 1)

Note

1. Failure criterion ; IR

400nA at VR =2 V

Marking

http://www.twtysemi.com

1 of 1

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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