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HSM88ASRTL-E

更新时间: 2024-09-29 13:08:23
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
5页 64K
描述
SILICON, MIXER DIODE

HSM88ASRTL-E 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.60风险等级:5.65
配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS最大二极管电容:0.85 pF
二极管元件材料:SILICON二极管类型:MIXER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e6
湿度敏感等级:1元件数量:2
端子数量:3最高工作温度:100 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子面层:TIN BISMUTH
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:20Base Number Matches:1

HSM88ASRTL-E 数据手册

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HSM88AS  
Silicon Schottky Barrier Diode for Balanced Mixer  
REJ03G0135-0600Z  
(Previous: ADE-208-046E)  
Rev.6.00  
Nov.06.2003  
Features  
Proof against high voltage.  
MPAK package is suitable for high density surface mounting and high speed assembly.  
Ordering Information  
Type No.  
Laser Mark  
Package Code  
HSM88AS  
C1  
MPAK  
Pin Arrangement  
3
1. Cathode 2  
2. Anode 1  
3. Cathode 1  
Anode 2  
2
1
(Top View)  
Rev.6.00, Nov.06.2003, page 1 of 4  

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