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HSM88WK

更新时间: 2024-02-24 16:48:20
品牌 Logo 应用领域
日立 - HITACHI 肖特基二极管微波混频二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 31K
描述
Silicon Schottky Barrier Diode for Balanced Mixer

HSM88WK 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.60风险等级:5.67
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS最大二极管电容:0.85 pF
二极管元件材料:SILICON二极管类型:MIXER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e6
湿度敏感等级:1元件数量:2
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子面层:TIN BISMUTH端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:20
Base Number Matches:1

HSM88WK 数据手册

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HSM88WK  
Silicon Schottky Barrier Diode for Balanced Mixer  
ADE-208-0489F (Z)  
Rev 6  
Jul 1998  
Features  
Proof against high voltage.  
MPAK package is suitable for high density surface mounting and high speed assembly.  
Ordering Information  
Type No.  
Laser Mark  
Package Code  
HSM88WK  
C4  
MPAK  
Outline  
3
1
2
(Top View)  
1 Anode  
2 Anode  
3 Cathode  

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