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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.60 | 风险等级： | 5.73 |
| 配置： | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS | 最大二极管电容： | 0.85 pF |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | MIXER DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 100 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HSM88WATR-E | RENESAS |
获取价格 |
SILICON, MIXER DIODE |
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| HSM88WK | RENESAS |
获取价格 |
Silicon Schottky Barrier Diode for Detector and Mixer |
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| HSM88WK | HITACHI |
获取价格 |
Silicon Schottky Barrier Diode for Balanced Mixer |
|
| HSM88WKTL | RENESAS |
获取价格 |
SILICON, MIXER DIODE |
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| HSM88WKTL-E | RENESAS |
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暂无描述 |
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| HSM88WKTR | RENESAS |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| HSM88WKTR-E | RENESAS |
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SILICON, MIXER DIODE |
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| HSM890 | MICROSEMI |
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8 Amp Schottky Rectifier |
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| HSM890G | ETC |
获取价格 |
Schottky Rectifier |
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| HSM890G/TR13 | MICROSEMI |
获取价格 |
DIODE SCHOTTKY 90V 8A DO215AB |
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