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HSM88AS

更新时间： 2024-01-28 15:21:32

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科信 - KEXIN		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
1页	35K
描述
Silicon Schottky Barrier Diode

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HSM88AS 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.60	风险等级：	5.67
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	最大二极管电容：	0.85 pF
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	MIXER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
Base Number Matches：	1

HSM88AS 数据手册

SMD Type

Diodes

Silicon Schottky Barrier Diode

HSM88AS

SOT-23

Unit: mm

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

Features

Proof against high voltage.

MPAK package is suitable for high density surface mounting and high speed assembly.

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

1.9

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

A b s o lu te M a x im u m R a tin g s T a = 2 5

P a ra m e te r

R e v e rs e v o lta g e

S ym b o l

V R

V a lu e

U n it

1 0

1 5

A v e ra g e re c tifie d c u rre n t

J u n c tio n te m p e ra tu re

S to ra g e te m p e ra tu re

m A

T j

1 2 5

T s tg

-5 5 to + 1 2 5

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Forward voltage

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

420

580

0.2

Unit

IF = 1 mA

IF = 10 mA

VR = 2 V

350

500

Reverse current

VR = 10 V

Capacitance

VR =0 V, f = 1 MHz

0.85

0.10

Capacitance deviation

Forward voltage deviation

ÄC

ÄVF

IF = 10 mA

C=200pF , Both forward and

reverse direction 1 pulse.

ESD-Capability (Note 1)

Note

1. Failure criterion ; IR

400nA at VR =2 V

Marking

www.kexin.com.cn

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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HSM88ASR	KEXIN	获取价格	Silicon Schottky Barrier Diode
HSM88ASR	RENESAS	获取价格	Silicon Schottky Barrier Diode for Balanced Mixer
HSM88ASR	HITACHI	获取价格	Silicon Schottky Barrier Diode for Balanced Mixer
HSM88ASRTL-E	RENESAS	获取价格	SILICON, MIXER DIODE
HSM88ASTL	HITACHI	获取价格	暂无描述
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