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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.60 | 风险等级： | 5.67 |
| 配置： | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | 最大二极管电容： | 0.85 pF |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | MIXER DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e6 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | TIN BISMUTH | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HSM880 | MICROSEMI |
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8 Amp Schottky Rectifier |
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| HSM880G | ETC |
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Schottky Rectifier |
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| HSM880G/TR13 | MICROSEMI |
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DIODE SCHOTTKY 80V 8A DO215AB |
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| HSM880GE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 80V V(RRM), Silicon, DO-215AB, DO-215AB |
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| HSM880GE3/TR13 | MICROSEMI |
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DIODE SCHOTTKY 80V 8A DO215AB |
|
| HSM880J | ETC |
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Schottky Rectifier |
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| HSM880J/TR13 | MICROSEMI |
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DIODE SCHOTTKY 80V 8A DO214AB |
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| HSM880JE3/TR13 | MICROSEMI |
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DIODE SCHOTTKY 80V 8A DO214AB |
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| HSM88AS | TYSEMI |
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MPAK package is suitable for high density surface mounting and high speed assembly |
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| HSM88AS | HITACHI |
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Silicon Schottky Barrier Diode for Balanced Mixer |
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