是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DO-214AB | 包装说明: | R-PDSO-C2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.73 | 应用: | GENERAL PURPOSE |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 0.62 V |
JEDEC-95代码: | DO-214AB | JESD-30 代码: | R-PDSO-C2 |
JESD-609代码: | e3 | 最大非重复峰值正向电流: | 350 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 最大输出电流: | 8 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 45 V |
最大反向电流: | 250 µA | 表面贴装: | YES |
技术: | SCHOTTKY | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | C BEND | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HSM845JE3/TR | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 45V V(RRM), Silicon, DO-214AB, DO-214AB | |
HSM845JE3/TR13 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 45V V(RRM), Silicon, DO-214AB, DO-214AB | |
HSM88 | HITACHI |
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Silicon Schottky Barrier Diode for Balanced Mixer | |
HSM880 | MICROSEMI |
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8 Amp Schottky Rectifier | |
HSM880G | ETC |
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Schottky Rectifier | |
HSM880G/TR13 | MICROSEMI |
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DIODE SCHOTTKY 80V 8A DO215AB | |
HSM880GE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 80V V(RRM), Silicon, DO-215AB, DO-215AB | |
HSM880GE3/TR13 | MICROSEMI |
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DIODE SCHOTTKY 80V 8A DO215AB | |
HSM880J | ETC |
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Schottky Rectifier | |
HSM880J/TR13 | MICROSEMI |
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DIODE SCHOTTKY 80V 8A DO214AB |