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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | DO-214AB | 包装说明： | DO-214AB, 2 PIN |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.83 | Is Samacsys： | N |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.62 V | JEDEC-95代码： | DO-214AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-C2 | 最大非重复峰值正向电流： | 350 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 最大输出电流： | 8 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 30 V |
| 最大反向电流： | 250 µA | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子形式： | C BEND | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HSM835 | MICROSEMI |
获取价格 |
8 Amp Schottky Rectifier |
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| HSM835G | ETC |
获取价格 |
Schottky Rectifier |
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| HSM835GE3/TR13 | MICROSEMI |
获取价格 |
DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO215AB |
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| HSM835J | ETC |
获取价格 |
Schottky Rectifier |
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| HSM83TL | HITACHI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, Silicon |
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| HSM83TR | RENESAS |
获取价格 |
0.1A, SILICON, SIGNAL DIODE |
|
| HSM840 | MICROSEMI |
获取价格 |
8 Amp Schottky Rectifier |
|
| HSM840G | ETC |
获取价格 |
Schottky Rectifier |
|
| HSM840GE3/TR13 | MICROSEMI |
获取价格 |
DIODE SCHOTTKY 40V 8A DO215AB |
|
| HSM840J | ETC |
获取价格 |
Schottky Rectifier |
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