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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.75 | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.62 V |
| JEDEC-95代码： | DO-215AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 350 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 最大输出电流： | 8 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大重复峰值反向电压： | 25 V |
| 最大反向电流： | 250 µA | 反向测试电压： | 25 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HSM825J | ETC |
获取价格 |
Schottky Rectifier |
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| HSM83 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar Diode for High Voltage Switching |
|
| HSM83 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar Diode for High Voltage Switching |
|
| HSM830 | MICROSEMI |
获取价格 |
8 Amp Schottky Rectifier |
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| HSM830G | ETC |
获取价格 |
Schottky Rectifier |
|
| HSM830J | ETC |
获取价格 |
Schottky Rectifier |
|
| HSM835 | MICROSEMI |
获取价格 |
8 Amp Schottky Rectifier |
|
| HSM835G | ETC |
获取价格 |
Schottky Rectifier |
|
| HSM835GE3/TR13 | MICROSEMI |
获取价格 |
DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO215AB |
|
| HSM835J | ETC |
获取价格 |
Schottky Rectifier |
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