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HSD276A

更新时间: 2024-09-17 04:22:15
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瑞萨 - RENESAS 肖特基二极管微波混频二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 142K
描述
Silicon Schottky Barrier Diode for Detector

HSD276A 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SFP-2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.60
风险等级:5.35配置:SINGLE
最大二极管电容:0.85 pF二极管元件材料:SILICON
二极管类型:MIXER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-F2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C最大输出电流:0.03 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:5 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

HSD276A 数据手册

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HSD276A  
Silicon Schottky Barrier Diode for Detector  
REJ03G0604-0100  
(Previous: ADE-208-1385)  
Rev.1.00  
Apr 15, 2005  
Features  
High forward current, Low capacitance.  
Super small Flat Lead Package (SFP) is suitable for surface mount design.  
Ordering Information  
Package Code  
(Previous Code)  
Type No.  
Laser Mark  
Package Name  
HSD276A  
S2  
SFP  
PUSF0002ZB-A  
(SFP)  
Pin Arrangement  
Cathode mark  
Mark  
1
2
S2  
1. Cathode  
2. Anode  
Rev.1.00 Apr 15, 2005 page 1 of 4  

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