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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 50 ns | JESD-30 代码： | R-CDFP-F36 |
| 内存密度： | 65536 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 36 |
| 字数： | 8192 words | 字数代码： | 8000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 8KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLATPACK | 并行/串行： | PARALLEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 最小待机电流： | 2 V |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HS9A-65647RH-Q | INTERSIL |
获取价格 |
Radiation Hardened 8K x 8 SOS CMOS Static RAM |
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| HS9G-26C32RH/PROTO | INTERSIL |
获取价格 |
Radiation Hardened Quad Differential Line Receiver |
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| HS9MS256RH | ETC |
获取价格 |
Peripheral IC |
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| HS9-OP470ARH | INTERSIL |
获取价格 |
Radiation Hardened, Very Low Noise Quad Operational Amplifier |
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| HS9-OP470ARH/SAMPLE | RENESAS |
获取价格 |
QUAD OP-AMP, 2100uV OFFSET-MAX, 8MHz BAND WIDTH, CDFP14, CERAMIC, DFP-14 |
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| HS9-OP470ARH-8 | RENESAS |
获取价格 |
QUAD OP-AMP, 2100uV OFFSET-MAX, 8MHz BAND WIDTH, DFP14, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, D |
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| HS9-OP470ARH-Q | INTERSIL |
获取价格 |
Radiation Hardened, Very Low Noise Quad Operational Amplifier |
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| HS9-RTX2010RH | INTERSIL |
获取价格 |
Radiation Hardened Real Time Express⑩ Microco |
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| HS9-RTX2010RH8 | ETC |
获取价格 |
16-Bit Microcontroller |
|
| HS9-RTX2010RH-8 | INTERSIL |
获取价格 |
Radiation Hardened Real Time Express⑩ Microco |
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