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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 16 weeks | 风险等级： | 5.72 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 7.6 mJ | 外壳连接： | DRAIN SOURCE |
| 配置： | COMPLEX | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 10 A | 最大漏源导通电阻： | 0.02 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | S-PDSO-N8 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 40 A |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HS8MA2 | ROHM |
获取价格 |
HS8MA2在紧凑而且对称的DFN封装中内置共漏极的30V Pch+Nch MOSFET。 |
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| HS8N60 | JFW |
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N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| HS8-RTX2010RH | INTERSIL |
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Radiation Hardened Real Time Express⑩ Microco |
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| HS8-RTX2010RH-8 | INTERSIL |
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Radiation Hardened Real Time Express⑩ Microco |
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| HS8-RTX2010RH-Q | INTERSIL |
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Radiation Hardened Real Time Express⑩ Microco |
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| HS8V | ETC |
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NUT DRIVER HEX SOCKET 1/4" 7.25" |
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| HS-9008RH | INTERSIL |
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Radiation Hardened CMOS 8-Bit Flash Analog-to-Digital Converter |
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| HS-9008RH_05 | INTERSIL |
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Radiation Hardened CMOS 8-Bit Flash Analog-to-Digital Converter |
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| HS-9008RH-D1 | RENESAS |
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8-BIT FLASH METHOD ADC, PARALLEL ACCESS, CDIP28 |
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| HS-9008RH-F11A | RENESAS |
获取价格 |
8-BIT FLASH METHOD ADC, PARALLEL ACCESS, CDFP28 |
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