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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP |
| 包装说明： | TSOP1, TSSOP28,.53,22 | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.76 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 100 ns |
| 命令用户界面： | NO | 数据轮询： | YES |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G28 | 长度： | 11.8 mm |
| 内存密度： | 65536 bit | 内存集成电路类型： | EEPROM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 8192 words |
| 字数代码： | 8000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 8KX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP1 | 封装等效代码： | TSSOP28,.53,22 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 页面大小： | 64 words | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 3/5 V |
| 编程电压： | 3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 就绪/忙碌： | YES | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大待机电流： | 0.000005 A | 子类别： | EEPROMs |
| 最大压摆率： | 0.025 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.55 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 切换位： | YES |
| 宽度： | 8 mm | 最长写入周期时间 (tWC)： | 10 ms |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| HN58V65ATI-10E | RENESAS | 64k EEPROM (8-kword x 8-bit) Ready/Busy function, RES function (HN58V66A) Wide Temperature |
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| HN58V66A | RENESAS | 64 k EEPROM (8-kword × 8-bit) Ready/Busy Func |
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| HN58V66AFP-10 | RENESAS | 64 k EEPROM (8-kword × 8-bit) Ready/Busy Func |
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| HN58V66AFP-10 | HITACHI | 64 k EEPROM (8-kword x 8-bit) Ready/Busy function, RES function (HN58V66A) |
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| HN58V66AFP-10E | RENESAS | 64 k EEPROM (8-kword × 8-bit) Ready/Busy Func |
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| HN58V66AFPI-10 | RENESAS | 64k EEPROM (8-kword x 8-bit) Ready/Busy function, RES function (HN58V66A) Wide Temperature |
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pcf8563芯片功能说明、参数分析、引脚说明
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