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HMP564U7FFP8C-S6

更新时间： 2024-09-17 05:36:19

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海力士 - HYNIX		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
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240pin DDR2 SDRAM Unbuffered DIMMs based on 512 Mb F ver.

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HMP564U7FFP8C-S6 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIMM	包装说明：	DIMM, DIMM240,40
针数：	240	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.28
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
访问模式：	SINGLE BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.4 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM; WD-MAX	最大时钟频率 (fCLK)：	400 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B84
长度：	133.35 mm	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	240	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：
组织：	64MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM240,40	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	30 mm
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.072 A
子类别：	Other Memory ICs	最大压摆率：	1.575 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
宽度：	2.7 mm	Base Number Matches：	1

HMP564U7FFP8C-S6 数据手册

240pin DDR2 SDRAM Unbuffered DIMMs based on 512 Mb F ver.

This Hynix unbuffered Dual In-Line Memory Module(DIMM) series consists of 512Mb C ver. DDR2 SDRAMs

in Fine Ball Grid Array(FBGA) packages on a 240pin glass-epoxy substrate. This Hynix 512Mb C ver. based

DDR2 Unbuffered DIMM series provide a high performance 8 byte interface in 133.35mm width form factor

of industry standard. It is suitable for easy interchange and addition.

FEATURES

•

JEDEC standard Double Data Rate2 Synchro-

nous DRAMs (DDR2 SDRAMs) with 1.8V +/-

0.1V Power Supply

•

Programmable Burst Length 4 / 8 with both

sequential and interleave mode

•

Auto refresh and self refresh supported

Partial Array Self Refresh supported

8192 refresh cycles / 64ms

All inputs and outputs are compatible with

SSTL_1.8 interface

•

4 Bank architecture

Serial presence detect with EEPROM

DDR2 SDRAM Package: 60ball FBGA(64Mx8)

133.35 x 30.00 mm form factor

Posted CAS

Programmable CAS Latency 3 , 4 , 5, 6

OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment)

ODT (On-Die Termination)

•

Lead-free Products are RoHS compliant

Fully differential clock operations (CK & CK)

ORDERING INFORMATION

# of

DRAMs ranks

# of

Part Name

Density Organization

Materials

ECC

HMP512U6FFP8C-Y5/S5/S6

HMP564U7FFP8C-Y5/S5/S6

HMP512U7FFP8C-Y5/S5/S6

1GB

512MB

1GB

128Mx64

64Mx72

Lead free

None

ECC

128Mx72

ECC

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any

responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 0.1 / Jun 2008

12 3 4 5 6 7...25

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