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HMP564U7FFP8C-Y5

更新时间： 2024-11-09 05:36:19
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
25页 437K
描述
240pin DDR2 SDRAM Unbuffered DIMMs based on 512 Mb F ver.

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HMP564U7FFP8C-Y5 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIMM包装说明：DIMM, DIMM240,40
针数：240Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.28
风险等级：5.84Is Samacsys：N
访问模式：SINGLE BANK PAGE BURST最长访问时间：0.45 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM; WD-MAX最大时钟频率 (fCLK)：333 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PBGA-B84
长度：133.35 mm内存密度：536870912 bit
内存集成电路类型：DDR DRAM MODULE内存宽度：8
功能数量：1端口数量：1
端子数量：240字数：67108864 words
字数代码：64000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：
组织：64MX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：DIMM
封装等效代码：DIMM240,40封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：1.8 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：8192座面最大高度：30 mm
自我刷新：YES最大待机电流：0.072 A
子类别：Other Memory ICs最大压摆率：1.485 mA
最大供电电压 (Vsup)：1.9 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：OTHER
端子形式：NO LEAD端子节距：1 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：20
宽度：2.7 mmBase Number Matches：1

HMP564U7FFP8C-Y5 数据手册

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240pin DDR2 SDRAM Unbuffered DIMMs based on 512 Mb F ver.  
This Hynix unbuffered Dual In-Line Memory Module(DIMM) series consists of 512Mb C ver. DDR2 SDRAMs  
in Fine Ball Grid Array(FBGA) packages on a 240pin glass-epoxy substrate. This Hynix 512Mb C ver. based  
DDR2 Unbuffered DIMM series provide a high performance 8 byte interface in 133.35mm width form factor  
of industry standard. It is suitable for easy interchange and addition.  
FEATURES  
•
•
JEDEC standard Double Data Rate2 Synchro-  
nous DRAMs (DDR2 SDRAMs) with 1.8V +/-  
0.1V Power Supply  
•
Programmable Burst Length 4 / 8 with both  
sequential and interleave mode  
•
•
•
•
•
•
Auto refresh and self refresh supported  
Partial Array Self Refresh supported  
8192 refresh cycles / 64ms  
All inputs and outputs are compatible with  
SSTL_1.8 interface  
•
•
•
•
•
•
4 Bank architecture  
Serial presence detect with EEPROM  
DDR2 SDRAM Package: 60ball FBGA(64Mx8)  
133.35 x 30.00 mm form factor  
Posted CAS  
Programmable CAS Latency 3 , 4 , 5, 6  
OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment)  
ODT (On-Die Termination)  
•
Lead-free Products are RoHS compliant  
Fully differential clock operations (CK & CK)  
ORDERING INFORMATION  
# of  
DRAMs ranks  
# of  
Part Name  
Density Organization  
Materials  
ECC  
HMP512U6FFP8C-Y5/S5/S6  
HMP564U7FFP8C-Y5/S5/S6  
HMP512U7FFP8C-Y5/S5/S6  
1GB  
512MB  
1GB  
128Mx64  
64Mx72  
16  
9
2
1
2
Lead free  
Lead free  
Lead free  
None  
ECC  
128Mx72  
18  
ECC  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any  
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev. 0.1 / Jun 2008  
1
1234567...25

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