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HMC715LP3RTR

更新时间： 2024-11-29 20:53:27
品牌 Logo 应用领域
亚德诺 - ADI 放大器
页数 文件大小 规格书
10页 361K
描述
IC,MICROWAVE/MILLIMETER WAVE AMPLIFIER,SINGLE,GAAS,LLCC,16PIN,PLASTIC

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HMC715LP3RTR 数据手册

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HMC715LP3 / 715LP3E  
v00.0808  
GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE  
AMPLIFIER, 2.1 - 2.9 GHz  
5
Features  
Typical Applications  
The HMC715LP3(E) is ideal for:  
• Cellular/3G and LTE/WiMAX/4G  
• BTS & Infrastructure  
Noise Figure: 0.9 dB  
Gain: 19 dB  
Output IP3: +33 dBm  
Single Supply: +3V to +5V  
16 Lead 3x3mm QFN Package: 9 mm2  
• Repeaters and Femtocells  
• Public Safety Radio  
• Access Points  
Functional Diagram  
General Description  
The HMC715LP3(E) is a GaAs PHEMT MMIC  
Low Noise Amplifier that is ideal for Cellular/3G and  
LTE/WiMAX/4G basestation front-end receivers  
operating between 2.1 and 2.9 GHz. The amplifier  
has been optimized to provide 0.9 dB noise figure,  
19 dB gain and +33 dBm output IP3 from a single  
supply of +5V. Input and output return losses are  
excellent and the LNA requires minimal external  
matching and bias decoupling components. The  
HMC715LP3(E) can be biased with +3V to +5V and  
features an externally adjustable supply current  
which allows the designer to tailor the linearity  
performance of the LNA for each application.  
Electrical Specifications  
TA = +25° C, Rbias = 2k Ohms for Vdd = +5V, Rbias = 47k Ohms for Vdd = +3V [1]  
Vdd = +3V  
Vdd = +5V  
Parameter  
Units  
Min.  
14.5  
Typ.  
2.1 - 2.9  
18  
Max. Min.  
Typ.  
2.3 - 2.7  
18  
Max.  
Min.  
15.5  
Typ.  
2.1 - 2.9  
19  
Max.  
Min.  
Typ.  
2.3 - 2.7  
19  
Max.  
1.2  
Frequency Range  
MHz  
dB  
Gain  
15  
16.5  
Gain Variation Over Temperature  
Noise Figure  
0.01  
0.9  
0.01  
0.9  
0.01  
0.9  
0.01  
0.9  
dB/ °C  
dB  
1.2  
1.2  
1.2  
Input Return Loss  
Output Return Loss  
11.5  
14  
11  
11.5  
11  
dB  
13.5  
12.5  
12  
dB  
Output Power for 1 dB  
Compression (P1dB)  
10.5  
14.5  
12.5  
15  
15  
19  
16.5  
19.5  
dBm  
Saturated Output Power (Psat)  
Output Third Order Intercept (IP3)  
Supply Current (Idd)  
16  
28  
47  
16.5  
28.5  
47  
20  
33  
95  
20.5  
33.5  
95  
dBm  
dBm  
mA  
65  
65  
126  
126  
[1] Rbias resistor sets current, see application circuit herein  
For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:  
20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373  
Order On-line at www.hittite.com  
5 - 296  
1234567...10

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与HMC715LP3RTR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HMC715LP3TR HITTITE

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 		Narrow Band Low Power Amplifier, 1 Func, GAAS,
HMC716LP3 HITTITE

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 		GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 3.1 - 3.9 GHz
HMC716LP3 ADI

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 		3100MHz - 3900MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND LOW POWER AMPLIFIER, 3 X 3 MM, PLASTIC, SMT, QF
HMC716LP3E HITTITE

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