5秒后页面跳转
HMC717LP3 PDF预览

HMC717LP3

更新时间: 2024-11-29 10:53:59
品牌 Logo 应用领域
HITTITE 放大器
页数 文件大小 规格书
10页 739K
描述
GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 4.8 - 6.0 GHz

HMC717LP3 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred包装说明:LCC16,.12SQ,20
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.12其他特性:LOW NOISE
特性阻抗:50 Ω构造:COMPONENT
增益:12 dB最大输入功率 (CW):10 dBm
JESD-609代码:e0安装特点:SURFACE MOUNT
功能数量:1端子数量:16
最大工作频率:6000 MHz最小工作频率:4800 MHz
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装等效代码:LCC16,.12SQ,20
电源:3/5 V射频/微波设备类型:WIDE BAND LOW POWER
子类别:RF/Microwave Amplifiers最大压摆率:100 mA
表面贴装:YES技术:GAAS
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches:1

HMC717LP3 数据手册

 浏览型号HMC717LP3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HMC717LP3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HMC717LP3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HMC717LP3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HMC717LP3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HMC717LP3的Datasheet PDF文件第7页 
HMC717LP3 / 717LP3E  
v02.0809  
GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE  
AMPLIFIER, 4.8 - 6.0 GHz  
7
Features  
Typical Applications  
Thꢀ HmC717lp3(e) ꢁꢂ ꢁdꢀaꢇ ꢉꢃꢈ:  
• fꢁxꢀd wꢁꢈꢀꢇꢀꢂꢂ and lTe/wꢁmAX/4G  
• BTs & inꢉꢈaꢂtꢈuctuꢈꢀ  
Nꢃꢁꢂꢀ fꢁguꢈꢀ: 1.1 dB  
Gaꢁn: 16.5 dB  
outꢆut ip3: +31.5 dBꢅ  
sꢁngꢇꢀ suꢆꢆꢇy: +3V tꢃ +5V  
16 lꢀad 3x3ꢅꢅ QfN packagꢀ: 9 ꢅꢅ2  
• rꢀꢆꢀatꢀꢈꢂ and fꢀꢅtꢃcꢀꢇꢇꢂ  
• pubꢇꢁc saꢉꢀty radꢁꢃ  
• Accꢀꢂꢂ pꢃꢁntꢂ  
Functional Diagram  
General Description  
Thꢀ HmC717lp3(e) ꢁꢂ a GaAꢂ pHemT mmiC  
lꢃꢄ Nꢃꢁꢂꢀ Aꢅꢆꢇꢁfiꢀꢈ that ꢁꢂ ꢁdꢀaꢇ ꢉꢃꢈ fixꢀd ꢄꢁꢈꢀꢇꢀꢂꢂ  
and lTe/wꢁmAX/4G baꢂꢀꢂtatꢁꢃn ꢉꢈꢃnt-ꢀnd ꢈꢀcꢀꢁvꢀꢈꢂ  
ꢃꢆꢀꢈatꢁng bꢀtꢄꢀꢀn 4.8 and 6.0 GHz. Thꢀ aꢅꢆꢇꢁfiꢀꢈ  
haꢂ bꢀꢀn ꢃꢆtꢁꢅꢁzꢀd tꢃ ꢆꢈꢃvꢁdꢀ 1.1 dB nꢃꢁꢂꢀ figuꢈꢀ,  
16.5 dB gaꢁn and +31.5 dBꢅ ꢃutꢆut ip3 ꢉꢈꢃꢅ a ꢂꢁngꢇꢀ  
ꢂuꢆꢆꢇy ꢃꢉ +5V. inꢆut and ꢃutꢆut ꢈꢀtuꢈn ꢇꢃꢂꢂꢀꢂ aꢈꢀ  
ꢀxcꢀꢇꢇꢀnt and thꢀ lNA ꢈꢀquꢁꢈꢀꢂ ꢅꢁnꢁꢅaꢇ ꢀxtꢀꢈnaꢇ  
ꢅatchꢁng and bꢁaꢂ dꢀcꢃuꢆꢇꢁng cꢃꢅꢆꢃnꢀntꢂ. Thꢀ  
HmC717lp3(e) can bꢀ bꢁaꢂꢀd ꢄꢁth +3V tꢃ +5V and  
ꢉꢀatuꢈꢀꢂ an ꢀxtꢀꢈnaꢇꢇy adjuꢂtabꢇꢀ ꢂuꢆꢆꢇy cuꢈꢈꢀnt  
ꢄhꢁch aꢇꢇꢃꢄꢂ thꢀ dꢀꢂꢁgnꢀꢈ tꢃ taꢁꢇꢃꢈ thꢀ ꢇꢁnꢀaꢈꢁty  
ꢆꢀꢈꢉꢃꢈꢅancꢀ ꢃꢉ thꢀ lNA ꢉꢃꢈ ꢀach aꢆꢆꢇꢁcatꢁꢃn.  
Electrical Specifications  
TA = +25° C, Rbias = 2k Ohms for Vdd = 5V, Rbias = 20k Ohms for Vdd = 3V[1] [2]  
Vdd = +3V  
Tyꢆ.  
4.8 - 6.0  
14.3  
0.01  
1.25  
13  
Vdd = +5V  
Tyꢆ.  
4.8 - 6.0  
16.5  
0.01  
1.1  
paꢈaꢅꢀtꢀꢈ  
Unꢁtꢂ  
mꢁn.  
12  
max.  
mꢁn.  
13.5  
max.  
1.4  
fꢈꢀquꢀncy rangꢀ  
Gaꢁn  
mHz  
dB  
Gaꢁn Vaꢈꢁatꢁꢃn ovꢀꢈ Tꢀꢅꢆꢀꢈatuꢈꢀ  
Nꢃꢁꢂꢀ fꢁguꢈꢀ  
dB/ °C  
dB  
1.5  
inꢆut rꢀtuꢈn lꢃꢂꢂ  
13  
dB  
outꢆut rꢀtuꢈn lꢃꢂꢂ  
13  
18  
dB  
outꢆut pꢃꢄꢀꢈ ꢉꢃꢈ 1 dB Cꢃꢅꢆꢈꢀꢂꢂꢁꢃn (p1dB)  
satuꢈatꢀd outꢆut pꢃꢄꢀꢈ (pꢂat)  
outꢆut Thꢁꢈd oꢈdꢀꢈ intꢀꢈcꢀꢆt (ip3)  
Tꢃtaꢇ suꢆꢆꢇy Cuꢈꢈꢀnt (idd)  
12  
14  
15  
18.5  
19.5  
31.5  
73  
dBꢅ  
dBꢅ  
dBꢅ  
ꢅA  
15  
25.5  
31  
40  
100  
[1] rbꢁaꢂ ꢈꢀꢂꢁꢂtꢃꢈ ꢂꢀtꢂ cuꢈꢈꢀnt, ꢂꢀꢀ aꢆꢆꢇꢁcatꢁꢃn cꢁꢈcuꢁt hꢀꢈꢀꢁn  
[2] Vdd = Vdd1 = Vdd2  
For price, delivery and to place orders: Hittite Microwave Corporation, 20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824  
Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373 Order On-line at www.hittite.com  
Application Support: Phone: 978-250-3343 or apps@hittite.com  
7 - 1  

与HMC717LP3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HMC717LP3E HITTITE

获取价格

GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 4.8 - 6.0 GHz
HMC717LP3ERTR ADI

获取价格

IC,MICROWAVE/MILLIMETER WAVE AMPLIFIER,SINGLE,GAAS,LLCC,16PIN,PLASTIC
HMC717LP3ETR HITTITE

获取价格

暂无描述
HMC717LP3RTR ADI

获取价格

Amplifier
HMC717LP3TR ADI

获取价格

RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER
HMC718LP4 HITTITE

获取价格

GaAs PHEMT MMIC HIGH IP3 LOW NOISE AMPLIFIER, 0.6 - 1.4 GHz
HMC718LP4E HITTITE

获取价格

GaAs PHEMT MMIC HIGH IP3 LOW NOISE AMPLIFIER, 0.6 - 1.4 GHz
HMC718LP4E ADI

获取价格

Low Noise Amplifier SMT, 0.6 - 1.4 GHz
HMC718LP4ERTR HITTITE

获取价格

暂无描述
HMC718LP4ETR ADI

获取价格

Low Noise Amplifier SMT, 0.6 - 1.4 GHz