是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Transferred | 包装说明: | LCC16,.12SQ,20 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.12 | 其他特性: | LOW NOISE |
特性阻抗: | 50 Ω | 构造: | COMPONENT |
增益: | 12 dB | 最大输入功率 (CW): | 10 dBm |
JESD-609代码: | e0 | 安装特点: | SURFACE MOUNT |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 16 |
最大工作频率: | 6000 MHz | 最小工作频率: | 4800 MHz |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装等效代码: | LCC16,.12SQ,20 |
电源: | 3/5 V | 射频/微波设备类型: | WIDE BAND LOW POWER |
子类别: | RF/Microwave Amplifiers | 最大压摆率: | 100 mA |
表面贴装: | YES | 技术: | GAAS |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HMC717LP3E | HITTITE |
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GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 4.8 - 6.0 GHz | |
HMC717LP3ERTR | ADI |
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IC,MICROWAVE/MILLIMETER WAVE AMPLIFIER,SINGLE,GAAS,LLCC,16PIN,PLASTIC | |
HMC717LP3ETR | HITTITE |
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暂无描述 | |
HMC717LP3RTR | ADI |
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Amplifier | |
HMC717LP3TR | ADI |
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RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER | |
HMC718LP4 | HITTITE |
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GaAs PHEMT MMIC HIGH IP3 LOW NOISE AMPLIFIER, 0.6 - 1.4 GHz | |
HMC718LP4E | HITTITE |
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GaAs PHEMT MMIC HIGH IP3 LOW NOISE AMPLIFIER, 0.6 - 1.4 GHz | |
HMC718LP4E | ADI |
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Low Noise Amplifier SMT, 0.6 - 1.4 GHz | |
HMC718LP4ERTR | HITTITE |
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暂无描述 | |
HMC718LP4ETR | ADI |
获取价格 |
Low Noise Amplifier SMT, 0.6 - 1.4 GHz |