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HMC669LP3ERTR

更新时间: 2024-01-26 11:55:07
品牌 Logo 应用领域
亚德诺 - ADI 放大器
页数 文件大小 规格书
10页 346K
描述
IC,MICROWAVE/MILLIMETER WAVE AMPLIFIER,SINGLE,GAAS,LLCC,16PIN,PLASTIC

HMC669LP3ERTR 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.84
安装特点:SURFACE MOUNT功能数量:1
端子数量:16最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装等效代码:LCC16,.12SQ,20电源:3/5 V
子类别:RF/Microwave Amplifiers最大压摆率:105 mA
表面贴装:YES技术:GAAS
Base Number Matches:1

HMC669LP3ERTR 数据手册

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HMC669LP3 / 669LP3E  
v02.0808  
GaAs PHEMT MMIC LNA w/  
FAILSAFE BYPASS MODE, 1700 - 2200 MHz  
5
Application Circuit  
For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:  
20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373  
Order On-line at www.hittite.com  
5 - 292  

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