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HMC669LP3ERTR

更新时间： 2024-01-14 14:37:09

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亚德诺 - ADI		放大器
页数	文件大小	规格书
10页	346K
描述
IC,MICROWAVE/MILLIMETER WAVE AMPLIFIER,SINGLE,GAAS,LLCC,16PIN,PLASTIC

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HMC669LP3ERTR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
安装特点：	SURFACE MOUNT	功能数量：	1
端子数量：	16	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：	LCC16,.12SQ,20	电源：	3/5 V
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	最大压摆率：	105 mA
表面贴装：	YES	技术：	GAAS
Base Number Matches：	1

HMC669LP3ERTR 数据手册

HMC669LP3 / 669LP3E

v02.0808

GaAs PHEMT MMIC LNA w/

FAILSAFE BYPASS MODE, 1700 - 2200 MHz

Bypass Mode -

Broadband Gain & Return Loss

Bypass Mode -

Input IP3 vs. Output Power @ 1900 MHz

-2

-4

+25C

+85C

-40C

-6

S21

S11

S22

-8

-10

-12

-14

-16

0.8

1.2 1.4 1.6 1.8

2.2 2.4 2.6 2.8

-10

-5

2.3

FREQUENCY (GHz)

Pout (dBm)

Bypass Mode - Input IP3 vs.

Temperature, Output Power @ 5 dBm

Bypass Mode -

Insertion Loss vs. Temperature

+25C

+85C

-40C

+25C

-1

+85C

-40C

-2

-3

-4

-5

1.6

1.7

1.8

1.9

2.1

2.2

2.3

1.6

1.7

1.8

1.9

2.1

2.2

FREQUENCY (GHz)

Bypass Mode -

Input Return Loss vs. Temperature

Bypass Mode -

Output Return Loss vs. Temperature

+25C

-5

+85C

+25C

-5

-40C

+85C

-40C

-10

-15

-20

-25

-15

-20

1.6

1.7

1.8

1.9

2.1

2.2

2.3

1.6

1.7

1.8

1.9

2.1

2.2

FREQUENCY (GHz)

For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:

20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373

Order On-line at www.hittite.com

5 - 287

1 2 345 6 7...10

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