HMC670LC3C

更新时间： 2024-11-26 12:20:31

品牌	Logo	应用领域
HITTITE		/
页数	文件大小	规格书
8页	278K
描述
13 Gbps, 1:2 Fanout Buffer

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HMC670LC3C 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFN
包装说明：	HQCCN,	针数：	16
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A001.A.11.B
HTS代码：	8542.33.00.01	风险等级：	5.84
放大器类型：	BUFFER	JESD-30 代码：	S-CQCC-N16
JESD-609代码：	e4	长度：	3 mm
标称负供电电压 (Vsup)：	-3.3 V	功能数量：	1
端子数量：	16	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	HQCCN	封装形状：	SQUARE
封装形式：	CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.45 mm
表面贴装：	YES	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	GOLD (80) OVER NICKEL (50)	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	3 mm
Base Number Matches：	1

HMC670LC3C 数据手册

HMC670LC3C

v02.1209

13 Gbps, 1:2 Fanout Buffer

Typical Applications

Features

The HMC670LC3C is ideal for:

• RF ATE Applications

Inputs Terminated Internally in 50 Ohms

Differential Inputs are DC Coupled

Propagation Delay: 55 ps

• Broadband Test & Measurement

Fast Rise and Fall Times: 24 / 22 ps

• Serial Data Transmission up to 13 Gbps

• Clock Buffering up to 13 GHz

Programmable Differential

Output Voltage Swing: 400 - 1100 mV

Power Dissipation: 240 mW

16 Lead Ceramic 3x3mm SMT Package: 9mm²

Functional Diagram

General Description

The HMC670LC3C is a 1:2 Fanout Buffer designed to

support data transmission rates up to 13 Gbps, and

clock frequencies as high as 13 GHz. All differential

inputs and outputs are DC coupled and terminated on

chip with 50 Ohm resistors to ground. The outputs may

be used in either single-ended or differential modes,

and should be AC or DC coupled into 50 Ohm resistors

connected to ground.

The HMC670LC3C also features an output level control

pin, VR which allows for loss compensation or for signal

level optimization. The HMC670LC3C operates from a

single -3.3V DC supply and is available in a ceramic

RoHS compliant 3x3 mm SMT package.

Electrical Speciﬁcations, T_A= +25 ºC, Vee = -3.3V

Parameter

Conditions

Min.

-3.6

Typ.

-3.3

Max

-3.0

Units

Power Supply Voltage

Power Supply Current

Maximum Data Rate

Maximum Clock Rate

Clock Bandwidth, 3 dB

Input High Voltage

Input Low Voltage

Gbps

GHz

200 mVpp Input

12.2

-0.5

-1.0

0.5

0.0

Input Return Loss

Frequency <13 GHz

Single-Ended, peak-to-peak

Differential, peak-to-peak

550

1100

-10

mVpp

Output Amplitude

Output High Voltage

Output Low Voltage

-570

For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:

20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373

Order On-line at www.hittite.com

7 - 2

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与HMC670LC3C相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HMC670LC3CRTR	HITTITE	获取价格	Bus Driver/Transceiver
HMC670LC3CTR	HITTITE	获取价格	Clock Driver, CQCC16,
HMC671LC3C	HITTITE	获取价格	13 Gbps, XOR / XNOR Gate HMC671LC3C
HMC672LC3C	HITTITE	获取价格	14 Gbps, AND / NAND / OR / NOR Gate
HMC672LC3CRTR	HITTITE	获取价格	Gate,
HMC672LC3CTR	HITTITE	获取价格	Gate,
HMC673LC3C	HITTITE	获取价格	13 Gbps, D-Type Flip-Flop
HMC673LC3CRTR	ADI	获取价格	HMC673LC3CRTR
HMC673LC3CTR	HITTITE	获取价格	FF/Latch,
HMC6741LS7	HITTITE	获取价格	Wide Band Medium Power Amplifier,

与HMC670LC3C相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

44
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

33
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

61
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

58

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HMC670LC3C

HMC670LC3C 技术参数

HMC670LC3C 数据手册

与HMC670LC3C相关器件

与HMC670LC3C相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HMC670LC3C

HMC670LC3C 技术参数

HMC670LC3C 数据手册

与HMC670LC3C相关器件

与HMC670LC3C相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？