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HMC669LP3ERTR

更新时间： 2024-01-28 23:50:44

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亚德诺 - ADI		放大器
页数	文件大小	规格书
10页	346K
描述
IC,MICROWAVE/MILLIMETER WAVE AMPLIFIER,SINGLE,GAAS,LLCC,16PIN,PLASTIC

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HMC669LP3ERTR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
安装特点：	SURFACE MOUNT	功能数量：	1
端子数量：	16	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：	LCC16,.12SQ,20	电源：	3/5 V
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	最大压摆率：	105 mA
表面贴装：	YES	技术：	GAAS
Base Number Matches：	1

HMC669LP3ERTR 数据手册

HMC669LP3 / 669LP3E

v02.0808

GaAs PHEMT MMIC LNA w/

FAILSAFE BYPASS MODE, 1700 - 2200 MHz

LNA - Output P1dB vs. Temperature ^[1]

LNA - Output P1dB vs. Temperature ^[2]

+25C

+85C

+25C

-40C

+85C

-40C

1.6

1.7

1.8

1.9

2.1

2.2

2.3

1.6

1.7

1.8

1.9

2.1

2.2

2.3

FREQUENCY (GHz)

LNA - Gain, P1dB,

Output IP3 vs. Current ^[1]@ 1900 MHz

Output IP3 vs. Current ^[2]@ 1900 MHz

Gain

P1dB

IP3

Idd (mA)

LNA - Output P1dB, Gain &

LNA - Reverse Isolation vs. Temperature ^[1]

Noise Figure ^[3]vs. Vdd @ 1900 MHz

-10

-15

P1dB

Gain

1.8

1.6

1.4

1.2

+25C

+85C

-40C

-20

-25

-30

-35

-40

0.8

1.6

1.7

1.8

1.9

2.1

2.2

2.3

3.5

4.5

FREQUENCY (GHz)

Voltage Supply (V)

[1] Vdd = 5V [2] Vdd = 3V [3] Measurement reference plane shown on evaluation PCB drawing.

For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:

20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373

Order On-line at www.hittite.com

5 - 286

1 234 5 6 7...10

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