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HMC636ST89ETR

更新时间： 2024-02-11 03:51:11

品牌	Logo	应用领域
亚德诺 - ADI		射频微波
页数	文件大小	规格书
7页	421K
描述
High IP3 SMT Amplifier, 0.2 - 4.0 GHz

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HMC636ST89ETR 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	TO-243
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	0.7	其他特性：	LOW NOISE
特性阻抗：	50 Ω	构造：	COMPONENT
增益：	5 dB	最大输入功率 (CW)：	16 dBm
安装特点：	SURFACE MOUNT	功能数量：	1
端子数量：	3	最大工作频率：	4000 MHz
最小工作频率：	200 MHz	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：	TO-243	电源：	5 V
射频/微波设备类型：	WIDE BAND LOW POWER	子类别：	RF/Microwave Amplifiers
表面贴装：	YES	技术：	GAAS
Base Number Matches：	1

HMC636ST89ETR 数据手册

HMC636ST89 / 636ST89E

v02.0311

GaAs pHEMT HiGH LinEAriTy

Gaꢀꢁ Block, 0.2 - 4.0 GHz

Absolute Maxꢀmum ratꢀꢁgs

Cꢆꢈꢈꢀctꢆꢅ Bꢁaꢂ Vꢆꢈtagꢀ (Vcc)

rf iꢄꢃut pꢆꢇꢀꢅ (rfin)(Vcc = +5 Vdc)

Chaꢄꢄꢀꢈ Tꢀꢉꢃꢀꢅatuꢅꢀ

+5.5 Vꢆꢈtꢂ

eleCTrosTATiC sensiTiVe DeViCe

oBserVe HAnDlinG preCAUTions

+16 dBꢉ

150 °C

0.86 w

Cꢆꢄtꢁꢄuꢆuꢂ pdꢁꢂꢂ (T = 85 °C)

(dꢀꢅatꢀ 13.3 ꢉw/°C abꢆvꢀ 85 °C)

Thꢀꢅꢉaꢈ rꢀꢂꢁꢂtaꢄcꢀ

(Chaꢄꢄꢀꢈ tꢆ ꢈꢀad)

75.6 °C/w

stꢆꢅagꢀ Tꢀꢉꢃꢀꢅatuꢅꢀ

oꢃꢀꢅatꢁꢄg Tꢀꢉꢃꢀꢅatuꢅꢀ

esD sꢀꢄꢂꢁtꢁvꢁty (HBm)

-65 tꢆ +150 °C

-40 tꢆ +85 °C

Cꢈaꢂꢂ 1A

Outlꢀꢁe Dꢂawꢀꢁg

noTes:

1. pACKAGe BoDY mATeriAl:

molDinG CompoUnD mp-180s or eQUiVAlenT.

2. leAD mATeriAl: Cu ꢇ/ Ag spoT plATinG.

3. leAD plATinG: 100% mATTe Tin.

4. Dimensions Are in inCHes [millimeTers]

5. Dimension Does noT inClUDe molDflAsH of 0.15ꢉꢉ per siDe.

6. Dimension Does noT inClUDe molDflAsH of 0.25ꢉꢉ per siDe.

7. All GroUnD leADs mUsT Be solDereD To pCB rf GroUnD.

package iꢁfoꢂmatꢀoꢁ

paꢅt nuꢉbꢀꢅ

packagꢀ Bꢆdy matꢀꢅꢁaꢈ

lꢀad fꢁꢄꢁꢂh

msl ratꢁꢄg

msl1 ^[1]

packagꢀ maꢅkꢁꢄg ^[3]

H636

XXXX

HmC636sT89

lꢆꢇ stꢅꢀꢂꢂ iꢄjꢀctꢁꢆꢄ mꢆꢈdꢀd pꢈaꢂtꢁc

sꢄ/pb sꢆꢈdꢀꢅ

H636

XXXX

msl1 ^[2]

HmC636sT89e

rꢆHs-cꢆꢉꢃꢈꢁaꢄt lꢆꢇ stꢅꢀꢂꢂ iꢄjꢀctꢁꢆꢄ mꢆꢈdꢀd pꢈaꢂtꢁc

100% ꢉattꢀ sꢄ

[1] max ꢃꢀak ꢅꢀﬂꢆꢇ tꢀꢉꢃꢀꢅatuꢅꢀ ꢆꢊ 235 °C

[2] max ꢃꢀak ꢅꢀﬂꢆꢇ tꢀꢉꢃꢀꢅatuꢅꢀ ꢆꢊ 260 °C

[3] 4-Digit lot number XXXX

Information furnished by Analog Devices is believed to be accurate and reliable. However, no

For price, delivery, and to place orders: Analog Devices, Inc.,

_resF_poo_nsr_ibp_ilir_tyic_ise_as,_sd_ume_el_div_be_{y A}ry_nala_ogn_Dd_evt_ico_esp_fol_ra_itc_se_useo_{, n}r_od_re_for_rs_an:_yH_infi_rt_inti_gt_ee_meM_ntsic_ofr_po_aw_tena_tsv_oe_{r o}C_theo_rrporation, 20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824

One Technology Way, P.O. Box 9106, Norwood, MA 02062-9106

rights of third parties that may result from its use. Specifications subject to change without notice. No

_{license is granted by implic}P_ah_tioo_nn_ore_o:_th9_er7_w8_ise-2_un5_d0_er-_a3_n3_{y p}4_a3_{tent or}F_paa_tex_n:_{t r}9_ig7_ht8_s-_o2_{f A}5_n0_alo-_g3_D3_e7_vi3_ces.Order On-line at www.hittite.com

Phone: 781-329-4700 • Order online at www.analog.com

9 - 4

Application Support: Phone: 1-800-ANALOG-D

Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners.

Application Support: Phone: 978-250-3343 or apps@hittite.com

1 2 3 456 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HMC636ST89TR	ADI	High IP3 SMT Amplifier, 0.2 - 4.0 GHz	获取价格
HMC637	HITTITE	GaAs MESFET MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz	获取价格
HMC637A	ADI	HMC637A	获取价格
HMC637A-Die	ADI	GaAs MMIC 1 W功率放大器，DC - 6 GHz	获取价格
HMC637ALP5	ADI	GaAs、pHEMT、MMIC、1 W功率放大器，0.1 GHz至6 GHz	获取价格
HMC637ALP5E	ADI	HMC637ALP5E	获取价格

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