是否无铅: | 含铅 | 生命周期: | Contact Manufacturer |
包装说明: | LCC16,.12SQ,20 | 针数: | 16 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.64 |
特性阻抗: | 50 Ω | 构造: | COMPONENT |
增益: | 9 dB | 最大输入功率 (CW): | 25 dBm |
安装特点: | SURFACE MOUNT | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 16 | 最大工作频率: | 2500 MHz |
最小工作频率: | 1700 MHz | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装等效代码: | LCC16,.12SQ,20 | 电源: | 5 V |
射频/微波设备类型: | NARROW BAND MEDIUM POWER | 表面贴装: | YES |
技术: | GAAS | 最大电压驻波比: | 1.4 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
HMC455LP3ETR | HITTITE |
类似代替 ![]() |
Narrow Band Medium Power Amplifier, |
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HMC455LP3 | HITTITE |
类似代替 ![]() |
InGaP HBT 1/2 Watt High IP3 AMPLIFIER, 1.7 - 2.5 GHz |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HMC455LP3ETR | HITTITE |
获取价格 |
Narrow Band Medium Power Amplifier, |
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HMC455LP3TR | HITTITE |
获取价格 |
Narrow Band Medium Power Amplifier, |
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HMC457 | ADI |
获取价格 |
1瓦特功率放大器,采用SMT封装,1.7 - 2.2 GHz |
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HMC457QS16G | HITTITE |
获取价格 |
InGaP HBT 1 WATT POWER AMPLIFIER, 1.7 - 2.2 GHz |
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HMC457QS16G_09 | HITTITE |
获取价格 |
InGaP HBT 1 WATT POWER AMPLIFIER, 1.7 - 2.2 GHz |
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HMC457QS16GE | HITTITE |
获取价格 |
InGaP HBT 1 WATT POWER AMPLIFIER, 1.7 - 2.2 GHz |
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HMC457QS16GETR | HITTITE |
获取价格 |
Narrow Band Medium Power Amplifier, |
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HMC457QS16GTR | HITTITE |
获取价格 |
Narrow Band Medium Power Amplifier, |
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HMC459 | HITTITE |
获取价格 |
GaAs PHEMT MMIC POWER AMPLIFIER, DC - 18.0 GHz |
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HMC459_07 | HITTITE |
获取价格 |
GaAs PHEMT MMIC POWER AMPLIFIER, DC - 18 GHz |
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