HMC455LP3

更新时间： 2024-02-09 11:43:10

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HITTITE		射频和微波射频放大器微波放大器
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描述
InGaP HBT 1/2 Watt High IP3 AMPLIFIER, 1.7 - 2.5 GHz

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HMC455LP3 技术参数

是否无铅：	含铅	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	LCC16,.12SQ,20	针数：	16
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.64
特性阻抗：	50 Ω	构造：	COMPONENT
增益：	9 dB	最大输入功率 (CW)：	25 dBm
安装特点：	SURFACE MOUNT	功能数量：	1
端子数量：	16	最大工作频率：	2500 MHz
最小工作频率：	1700 MHz	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：	LCC16,.12SQ,20	电源：	5 V
射频/微波设备类型：	NARROW BAND MEDIUM POWER	表面贴装：	YES
技术：	GAAS	最大电压驻波比：	1.4
Base Number Matches：	1

HMC455LP3 数据手册

HMC455LP3

v01.0604

MICROWAVE CORPORATION

InGaP HBT ½ Watt High IP3

AMPLIFIER, 1.7 - 2.5 GHz

Typical Applications

Features

Output IP3: +42 dBm

This ampliﬁer is ideal for high linearity applications:

• Multi-Carrier Systems

• GSM, GPRS & EDGE

• CDMA & WCDMA

Gain: 13 dB

56% PAE @ +28 dBm Pout

+19 dBm W-CDMA Channel Power @ -45 dBc ACP

3 x 3 x 1 mm QFN SMT Package

• PHS

Functional Diagram

General Description

The HMC455LP3 is a high output IP3 GaAs

InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT)

½ watt MMIC ampliﬁer operating between 1.7

and 2.5 GHz. Utilizing a minimum number of

external components the ampliﬁer provides 13

dB of gain and +28 dBm of saturated power at

56% PAE from a single +5 Vdc supply voltage.

The high output IP3 of +42 dBm coupled with

the low VSWR of 1.4:1 makes the HMC455LP3

an ideal driver ampliﬁer for PCS/3G wireless

infrastructure. A low cost, leadless 3x3 mm QFN

surface mount package (LP3) houses the linear

ampliﬁer. The LP3 provides an exposed base for

excellent RF and thermal performance.

Electrical Speciﬁcations,T_A= +25° C, Vs= +5V

Parameter

Min.

Typ.

1.7 - 1.9

13.5

0.012

Max.

Min.

Typ.

1.9 - 2.2

Max.

0.02

Min.

Typ.

2.2 - 2.5

11.5

0.012

Max.

0.02

Units

GHz

Frequency Range

Gain

11.5

10.5

Gain Variation Over Temperature

Input Return Loss

0.02

0.012

dB / °C

Output Return Loss

Output Power for 1dB Compression (P1dB)

Saturated Output Power (Psat)

Output Third Order Intercept (IP3)

Noise Figure

24.5

27.5

dBm

28.5

Supply Current (Icq)

150

For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:

12 Elizabeth Drive, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373

Order Online at www.hittite.com

8 - 264

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
HMC455LP3E	HITTITE	类似代替	InGaP HBT ? Watt High IP3 AMPLIFIER, 1.7 - 2.5 GHz

与HMC455LP3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HMC455LP3_06	HITTITE	获取价格	InGaP HBT  Watt High IP3 AMPLIFIER, 1.7 - 2.
HMC455LP3_09	HITTITE	获取价格	InGaP HBT ? Watt High IP3 AMPLIFIER, 1.7 - 2.5 GHz
HMC455LP3E	HITTITE	获取价格	InGaP HBT ? Watt High IP3 AMPLIFIER, 1.7 - 2.5 GHz
HMC455LP3ETR	HITTITE	获取价格	Narrow Band Medium Power Amplifier,
HMC455LP3TR	HITTITE	获取价格	Narrow Band Medium Power Amplifier,
HMC457	ADI	获取价格	1瓦特功率放大器，采用SMT封装，1.7 - 2.2 GHz
HMC457QS16G	HITTITE	获取价格	InGaP HBT 1 WATT POWER AMPLIFIER, 1.7 - 2.2 GHz
HMC457QS16G_09	HITTITE	获取价格	InGaP HBT 1 WATT POWER AMPLIFIER, 1.7 - 2.2 GHz
HMC457QS16GE	HITTITE	获取价格	InGaP HBT 1 WATT POWER AMPLIFIER, 1.7 - 2.2 GHz
HMC457QS16GETR	HITTITE	获取价格	Narrow Band Medium Power Amplifier,

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