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HMC455LP3TR

更新时间： 2024-01-24 22:57:43

品牌	Logo	应用领域
HITTITE		射频和微波射频放大器微波放大器
页数	文件大小	规格书
6页	257K
描述
Narrow Band Medium Power Amplifier,

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HMC455LP3TR 技术参数

是否无铅：	含铅	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	LCC16,.12SQ,20	针数：	16
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.64
特性阻抗：	50 Ω	构造：	COMPONENT
增益：	9 dB	最大输入功率 (CW)：	25 dBm
安装特点：	SURFACE MOUNT	功能数量：	1
端子数量：	16	最大工作频率：	2500 MHz
最小工作频率：	1700 MHz	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：	LCC16,.12SQ,20	电源：	5 V
射频/微波设备类型：	NARROW BAND MEDIUM POWER	表面贴装：	YES
技术：	GAAS	最大电压驻波比：	1.4
Base Number Matches：	1

HMC455LP3TR 数据手册

HMC455LP3 / 455LP3E

v02.0605

InGaP HBT ½ Watt High IP3

AMPLIFIER, 1.7 - 2.5 GHz

Typical Applications

Features

This ampliﬁer is ideal for high linearity applications:

• Multi-Carrier Systems

• GSM, GPRS & EDGE

• CDMA & WCDMA

Output IP3: +42 dBm

Gain: 13 dB

56% PAE @ +28 dBm Pout

+19 dBm W-CDMA Channel Power @ -45 dBc ACP

3x3 mm QFN SMT Package

• PHS

Functional Diagram

General Description

The HMC455LP3 & HMC455LP3E are high output

IP3 GaAs InGaP Heterojunction Bipolar Transistor

(HBT) ½ watt MMIC ampliﬁers operating between 1.7

and 2.5 GHz. Utilizing a minimum number of external

components the ampliﬁer provides 13 dB of gain and

+28 dBm of saturated power at 56% PAE from a single

+5 Vdc supply voltage. The high output IP3 of +42

dBm coupled with the low VSWR of 1.4:1 make the

HMC455LP3&HMC455LP3Eidealdriverampliﬁersfor

PCS/3G wireless infrastructures. A low cost, leadless

3x3 mm QFN surface mount package (LP3) houses

the linear ampliﬁer. The LP3 provides an exposed

base for excellent RF and thermal performance.

Electrical Speciﬁcations, T_A= +25° C, Vs= +5V

Parameter

Min.

Typ.

1.7 - 1.9

13.5

0.012

Max.

Min.

10.5

Typ.

1.9 - 2.2

Max.

0.02

Min.

Typ.

2.2 - 2.5

11.5

0.012

Max.

0.02

Units

GHz

Frequency Range

Gain

11.5

Gain Variation Over Temperature

Input Return Loss

0.02

0.012

dB / °C

Output Return Loss

Output Power for 1dB Compression (P1dB)

Saturated Output Power (Psat)

Output Third Order Intercept (IP3)

Noise Figure

24.5

27.5

dBm

28.5

Supply Current (Icq)

150

For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:

20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373

Order On-line at www.hittite.com

11 - 234

12 3 4 5 6

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HMC455LP3TR 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
HMC455LP3ETR	HITTITE	功能相似	Narrow Band Medium Power Amplifier,

与HMC455LP3TR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HMC457	ADI	获取价格	1瓦特功率放大器，采用SMT封装，1.7 - 2.2 GHz
HMC457QS16G	HITTITE	获取价格	InGaP HBT 1 WATT POWER AMPLIFIER, 1.7 - 2.2 GHz
HMC457QS16G_09	HITTITE	获取价格	InGaP HBT 1 WATT POWER AMPLIFIER, 1.7 - 2.2 GHz
HMC457QS16GE	HITTITE	获取价格	InGaP HBT 1 WATT POWER AMPLIFIER, 1.7 - 2.2 GHz
HMC457QS16GETR	HITTITE	获取价格	Narrow Band Medium Power Amplifier,
HMC457QS16GTR	HITTITE	获取价格	Narrow Band Medium Power Amplifier,
HMC459	HITTITE	获取价格	GaAs PHEMT MMIC POWER AMPLIFIER, DC - 18.0 GHz
HMC459_07	HITTITE	获取价格	GaAs PHEMT MMIC POWER AMPLIFIER, DC - 18 GHz
HMC459_09	HITTITE	获取价格	GaAs PHEMT MMIC POWER AMPLIFIER, DC - 18 GHz
HMC459-Die	ADI	获取价格	宽带功率放大器芯片，DC - 18 GHz

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