是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Transferred | 包装说明: | SSOP16,.25 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.11 | 特性阻抗: | 50 Ω |
构造: | COMPONENT | 增益: | 22 dB |
最大输入功率 (CW): | 15 dBm | JESD-609代码: | e0 |
安装特点: | SURFACE MOUNT | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 16 | 最大工作频率: | 2200 MHz |
最小工作频率: | 1700 MHz | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装等效代码: | SSOP16,.25 | 电源: | 5 V |
射频/微波设备类型: | NARROW BAND MEDIUM POWER | 子类别: | RF/Microwave Amplifiers |
表面贴装: | YES | 技术: | GAAS |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
HMC457QS16GE | HITTITE |
完全替代 |
InGaP HBT 1 WATT POWER AMPLIFIER, 1.7 - 2.2 GHz |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HMC457QS16G_09 | HITTITE |
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InGaP HBT 1 WATT POWER AMPLIFIER, 1.7 - 2.2 GHz | |
HMC457QS16GE | HITTITE |
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InGaP HBT 1 WATT POWER AMPLIFIER, 1.7 - 2.2 GHz | |
HMC457QS16GETR | HITTITE |
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Narrow Band Medium Power Amplifier, | |
HMC457QS16GTR | HITTITE |
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Narrow Band Medium Power Amplifier, | |
HMC459 | HITTITE |
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GaAs PHEMT MMIC POWER AMPLIFIER, DC - 18.0 GHz | |
HMC459_07 | HITTITE |
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GaAs PHEMT MMIC POWER AMPLIFIER, DC - 18 GHz | |
HMC459_09 | HITTITE |
获取价格 |
GaAs PHEMT MMIC POWER AMPLIFIER, DC - 18 GHz | |
HMC459-Die | ADI |
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宽带功率放大器芯片,DC - 18 GHz | |
HMC460 | HITTITE |
获取价格 |
GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, DC - 20.0 GHz | |
HMC460_06 | HITTITE |
获取价格 |
GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, DC - 20.0 GHz |