HMC460LC5

更新时间： 2024-11-29 03:58:55

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HITTITE		射频和微波射频放大器微波放大器
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8页	271K
描述
GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, DC - 20 GHz

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HMC460LC5 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	5 X 5 MM, ROHS COMPLIANT, LEADLESS, CERAMIC, SMT, 32 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.65	Is Samacsys：	N
特性阻抗：	50 Ω	构造：	COMPONENT
增益：	10 dB	最大输入功率 (CW)：	18 dBm
JESD-609代码：	e4	安装特点：	SURFACE MOUNT
功能数量：	1	端子数量：	32
最大工作频率：	20000 MHz	最小工作频率：
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	CERAMIC	封装等效代码：	LCC32,.2SQ,20
电源：	8 V	射频/微波设备类型：	WIDE BAND LOW POWER
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	表面贴装：	YES
技术：	GAAS	端子面层：	Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier
Base Number Matches：	1

HMC460LC5 数据手册

HMC460LC5

v00.1007

GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE

AMPLIFIER, DC - 20 GHz

Typical Applications

The HMC460LC5 is ideal for:

• Telecom Infrastructure

• Microwave Radio & VSAT

• Military & Space

Features

Noise Figure: 2.5 dB @ 10 GHz

Gain: 14 dB @ 10 GHz

P1dB Output Power: +16.5 dBm @ 10 GHz

Supply Voltage: +8V @ 75 mA

50 Ohm Matched Input/Output

32 Lead Ceramic 5x5mm SMT Package: 25mm²

• Test Instrumentation

Functional Diagram

General Description

The HMC460LC5 is a GaAs MMIC PHEMT Low Noise

Distributed Ampliﬁer in a leadless 5x5 mm ceramic

surface mount package which operates from DC to

20 GHz. The ampliﬁer provides 14 dB of gain, 2.5 dB

noise ﬁgure and +16.5 dBm of output power at 1 dB

gain compression while requiring only 75 mA from a

Vdd = 8V supply. Gain ﬂatness is excellent from DC to

20 GHz making the HMC460LC5 ideal for EW, ECM,

Radar and test equipment applications. The wideband

ampliﬁer I/Os are internally matched to 50 Ohms.

Electrical Speciﬁcations, T_A= +25° C, Vdd= 8V, Idd= 75 mA*

Parameter

Frequency Range

Min.

Typ.

DC - 6.0

Max.

Min.

Typ.

6.0 - 18.0

Max.

Min.

Typ.

18.0 - 20.0

Max.

Units

GHz

Gain

Gain Flatness

0.5

0.15

0.01

2.5

0.25

0.01

3.5

Gain Variation Over Temperature

Noise Figure

0.008

3.5

dB/ °C

5.0

4.0

Input Return Loss

Output Return Loss

Output Power for 1 dB Compression (P1dB)

Saturated Output Power (Psat)

Output Third Order Intercept (IP3)

dBm

29.5

28.5

Supply Current

(Idd) (Vdd= 8V, Vgg= -0.9V Typ.)

* Adjust Vgg between -2 to 0V to achieve Idd= 75 mA typical.

For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:

20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373

Order On-line at www.hittite.com

7 - 102

12 3 4 5 6 7 8

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