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HMBT9014

更新时间： 2024-01-15 08:26:18

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HSMC		晶体晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
5页	50K
描述
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

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技术参数
数据手册

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HMBT9014 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	400	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.225 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

HMBT9014 数据手册

Spec. No. : HN200212

Issued Date : 2002.07.01

Revised Date : 2004.09.08

Page No. : 2/5

HI-SINCERITY

MICROELECTRONICS CORP.

Characteristics Curve

Current Gain & Collector Current

Saturation Voltage & Collector Current

1000

100

CE(sat)

125^oC

@ I =20I

25^oC

75^oC

100

125^oC

75^oC

hFE @ V =5V

0.1

100

0.1

100

Collector Current-I (mA)

Saturation Voltage & Collector Current

1000

10000

CE(sat)

@ I =10I

BE(sat)

@ I =20I

75^oC

100

1000

25^oC

125^oC

25^oC

125^oC

100

0.1

100

0.1

100

Collector Current-I (mA)

Saturation Voltage & Collector Current

VBE(ON) & Collector Current

10000

1000

100

10000

BE(ON)

@ V =5V

75^oC

1000

25^oC

125^oC

BE(sat)

@ I =10I

100

0.1

Collector Current-I (mA)

100

1000

0.1

100

1000

Collector Current-I (mA)

HMBT9014

HSMC Product Specification

123 4 5

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