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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8504.50.80.00 |
| 风险等级： | 5.69 | 直流电阻： | 0.00022 Ω |
| 标称电感 (L)： | 0.115 µH | 电感器应用： | POWER INDUCTOR |
| 电感器类型： | GENERAL PURPOSE INDUCTOR | 功能数量： | 2 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 形状/尺寸说明： | RECTANGULAR PACKAGE |
| 屏蔽： | NO | 特殊特征： | DCR MEASURED AT 9% TOLERANCE, PARALLEL CONNECTED |
| 表面贴装： | YES | 端子位置： | DUAL IN-LINE |
| 端子形状： | J BEND | 测试频率： | 0.1 MHz |
| 容差： | 20% | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HM69D-30R33LF | TTELEC |
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Surface Mount Power Bead Coupled Inductors |
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| HM69SPDT312 | EUDYNA |
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Single Pole Double Throw GaAs PHEMT Switch 0.1 ? 6 GHz |
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| HM6AEB18202BP30 | RENESAS |
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2MX18 DDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, FBGA-165 |
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| HM6AEB18202BP33 | RENESAS |
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2MX18 DDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, FBGA-165 |
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| HM6AEB18202BP40 | RENESAS |
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2MX18 DDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, FBGA-165 |
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| HM6AEB18202BPL50 | RENESAS |
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2MX18 DDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, FBGA-165 |
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| HM6AEB18202BPL60 | RENESAS |
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2MX18 DDR SRAM, 0.5ns, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, FBGA-165 |
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| HM6AEB18204BP30 | RENESAS |
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2MX18 DDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, FBGA-165 |
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| HM6AEB18204BP33 | RENESAS |
获取价格 |
2MX18 DDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, FBGA-165 |
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| HM6AEB18204BP40 | RENESAS |
获取价格 |
2MX18 DDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, FBGA-165 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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