是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | TSOP | 包装说明: | TSOP1-R, TSSOP32,.8,20 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.58 | 最长访问时间: | 150 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 18.4 mm |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 128KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP1-R |
封装等效代码: | TSSOP32,.8,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 3 V | 认证状态: | Not Qualified |
反向引出线: | YES | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最大待机电流: | 0.001 A | 最小待机电流: | 2.7 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.02 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 8 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HM62V8128T-12 | HITACHI |
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131072-Word x 8-Bit Speed CMOS Static RAM |
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HM62V8128T-15 | HITACHI |
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131072-Word x 8-Bit Speed CMOS Static RAM |
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HM62V8256BLTSI-10UL | HITACHI |
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STANDARD SRAM, PDSO32, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, TSOP1-32 |
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HM62V8256BLTSI-8 | HITACHI |
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Standard SRAM, 256KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, TSOP1-32 |
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HM62V8256BLTSI-8SL | HITACHI |
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STANDARD SRAM, PDSO32, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, TSOP1-32 |
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HM62V8256BLTSI-8UL | HITACHI |
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Standard SRAM, 256KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, TSOP1-32 |
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HM62V8512ALFP-10 | ETC |
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x8 SRAM |
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HM62V8512ALFP-10SL | ETC |
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x8 SRAM |
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HM62V8512ALFP-8 | ETC |
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x8 SRAM |
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HM62V8512ALFP-8SL | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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