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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TSOP2 | 包装说明： | TSOP2, TSOP32,.46 |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.A | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.58 | 最长访问时间： | 85 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 20.95 mm |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 524288 words |
| 字数代码： | 512000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 512KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP2 |
| 封装等效代码： | TSOP32,.46 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 最大待机电流： | 0.000015 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.027 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HM62V8512ALTT-8SL | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| HM62V8512B | HITACHI |
获取价格 |
4 M SRAM (512-kword x 8-bit) |
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| HM62V8512BLFP-7 | HITACHI |
获取价格 |
4 M SRAM (512-kword x 8-bit) |
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| HM62V8512BLFP-7 | RENESAS |
获取价格 |
IC,SRAM,512KX8,CMOS,SOP,32PIN,PLASTIC |
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| HM62V8512BLFP-7SL | HITACHI |
获取价格 |
4 M SRAM (512-kword x 8-bit) |
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| HM62V8512BLFP-7SL | RENESAS |
获取价格 |
512KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 |
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| HM62V8512BLFP-7UL | HITACHI |
获取价格 |
4 M SRAM (512-kword x 8-bit) |
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| HM62V8512BLFP-8 | HITACHI |
获取价格 |
4 M SRAM (512-kword x 8-bit) |
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| HM62V8512BLFP-8 | RENESAS |
获取价格 |
STANDARD SRAM, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 |
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| HM62V8512BLFP-8SL | HITACHI |
获取价格 |
4 M SRAM (512-kword x 8-bit) |
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