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HM629127HBLJP-20

更新时间: 2024-02-12 05:53:59
品牌 Logo 应用领域
日立 - HITACHI 存储内存集成电路静态存储器光电二极管输出元件输入元件
页数 文件大小 规格书
11页 385K
描述
1 M HIGH SPEED SRAM(128-KWORD X 9-BIT)

HM629127HBLJP-20 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOJ
包装说明:SOJ, SOJ36,.44针数:36
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.76
Is Samacsys:N最长访问时间:20 ns
其他特性:TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTSI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J36长度:23.25 mm
内存密度:1179648 bit内存集成电路类型:CACHE SRAM
内存宽度:9功能数量:1
端子数量:36字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128KX9输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ36,.44封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.76 mm最大待机电流:0.00008 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.15 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

HM629127HBLJP-20 数据手册

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