是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP, DIP32,.6 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.89 | 最长访问时间: | 100 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDIP-T32 |
长度: | 41.9 mm | 内存密度: | 1179648 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 9 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 128KX9 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP32,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.08 mm |
最大待机电流: | 0.00004 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.07 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HM629128LP-10SL | HITACHI |
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Standard SRAM, 128KX9, 100ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 |
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HM629128LP-7L | HITACHI |
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Standard SRAM, 128KX9, 70ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 |
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HM629128LP-8 | HITACHI |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX9, 85ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 |
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HM629128LP-8SL | HITACHI |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX9, 85ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 |
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HM629128LT-10 | HITACHI |
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Standard SRAM, 128KX9, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, TSOP-32 |
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HM629128LT-8 | HITACHI |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX9, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, TSOP-32 |
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HM629128LT-8L | HITACHI |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX9, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, TSOP-32 |
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HM629128LT-8SL | HITACHI |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX9, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, TSOP-32 |
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HM62932JP-15 | ETC |
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x9 SRAM |
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HM62932JP-20 | ETC |
获取价格 |
x9 SRAM |
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