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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | DIP, DIP32,.6 |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.A | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.91 | 最长访问时间： | 70 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDIP-T32 |
| 长度： | 41.9 mm | 内存密度： | 1179648 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 9 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 128KX9 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP32,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 最大待机电流： | 0.00004 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.07 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 15.24 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HM629128LP-8 | HITACHI |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX9, 85ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 |
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| HM629128LP-8SL | HITACHI |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX9, 85ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 |
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| HM629128LT-10 | HITACHI |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX9, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, TSOP-32 |
|
| HM629128LT-8 | HITACHI |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX9, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, TSOP-32 |
|
| HM629128LT-8L | HITACHI |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX9, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, TSOP-32 |
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| HM629128LT-8SL | HITACHI |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX9, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, TSOP-32 |
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| HM62932JP-15 | ETC |
获取价格 |
x9 SRAM |
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| HM62932JP-20 | ETC |
获取价格 |
x9 SRAM |
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| HM62932LJP-15 | ETC |
获取价格 |
x9 SRAM |
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| HM62932LJP-20 | ETC |
获取价格 |
x9 SRAM |
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