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HM629127HBJP-20

更新时间: 2024-01-17 02:58:54
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日立 - HITACHI 静态存储器
页数 文件大小 规格书
11页 385K
描述
1 M HIGH SPEED SRAM(128-KWORD X 9-BIT)

HM629127HBJP-20 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOJ包装说明:SOJ, SOJ36,.44
针数:36Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.82最长访问时间:20 ns
其他特性:TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTSI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J36JESD-609代码:e0
长度:23.25 mm内存密度:1179648 bit
内存集成电路类型:CACHE SRAM内存宽度:9
功能数量:1端子数量:36
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128KX9
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装等效代码:SOJ36,.44
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.76 mm最大待机电流:0.002 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.15 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

HM629127HBJP-20 数据手册

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