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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | DIP, DIP22,.3 |
| 针数： | 22 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.79 | 最长访问时间： | 35 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDIP-T22 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 27.08 mm |
| 内存密度： | 65536 bit | 内存集成电路类型： | CACHE SRAM |
| 内存宽度： | 4 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 22 | 字数： | 16384 words |
| 字数代码： | 16000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 16KX4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP22,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 最大待机电流： | 0.002 A |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.12 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HM6288P-45 | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
|
| HM6289JP-25 | HITACHI |
获取价格 |
Cache SRAM, 16KX4, 25ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24 |
|
| HM6289JP-35 | HITACHI |
获取价格 |
16KX4 CACHE SRAM, 35ns, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24 |
|
| HM6289LJP-25 | HITACHI |
获取价格 |
Cache SRAM, 16KX4, 25ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24 |
|
| HM6289LJP-35 | HITACHI |
获取价格 |
Cache SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24 |
|
| HM629127HB | HITACHI |
获取价格 |
1 M HIGH SPEED SRAM(128-KWORD X 9-BIT) |
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| HM629127HB-15 | HITACHI |
获取价格 |
1 M HIGH SPEED SRAM(128-KWORD X 9-BIT) |
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| HM629127HB-20 | HITACHI |
获取价格 |
1 M HIGH SPEED SRAM(128-KWORD X 9-BIT) |
|
| HM629127HBJP-15 | HITACHI |
获取价格 |
1 M HIGH SPEED SRAM(128-KWORD X 9-BIT) |
|
| HM629127HBJP-20 | HITACHI |
获取价格 |
1 M HIGH SPEED SRAM(128-KWORD X 9-BIT) |
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