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HM628512BLTT-7SL

更新时间： 2024-01-06 05:14:40

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
18页	87K
描述
4 M SRAM (512-kword x 8-bit)

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HM628512BLTT-7SL 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.72
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	Base Number Matches：	1

HM628512BLTT-7SL 数据手册

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HM628512B Series

Revision Record

Rev. Date

Contents of Modification

Drawn by Approved by

0.0

0.1

Apr. 24, 1998

Initial issue

M. Higuchi K. Imato

Nov. 19, 1998

DC Characteristics

S. kunito

K. Imato

_SB1max: 40/20 µA to 100/50 µA

Low V_CCData Retention Characteristics

_CCDRmax: 20/10 µA to 50/15 µA

Change of note1 and 2

1.0

Jan. 13, 1999

Deletion of Preliminary

Features

S. kunito

K. Imato

Change of Power dissipation

Standby: TBD (typ) to 10 µW (typ)

DC Characteristics

_SB1typ: TBD/TBD to 2/2 µA

Low V_CCData Retention Characteristics

_CCDRtyp: TBD/TBD to 1/1 µA

2.0

Apr. 8, 1999

Addition of L-UL-version

DC Characteristics

S. kunito

K. Makuta

_SB1typ: 2/2 µA to 2/2/2 µA

_SB1max: 100/50 µA to 100/50/20 µA

Addition of note4

Low V_CCData Retention Characteristics

_CCDRtyp: 1/1 µA to 1/1/1 µA

_CCDRmax: 50/15 µA to 50/15/10 µA

Addition of note3

3.0

Aug. 24, 1999

Low V_CCData Retention Characteristics

Correct error: t_Runit ms to ns

1...15 16 1718

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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