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HM5283206FP-8

更新时间： 2024-10-28 20:29:43

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
80页	874K
描述
IC,SDRAM,2X128KX32,CMOS,QFP,100PIN,PLASTIC

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HM5283206FP-8 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	7 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	125 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PQFP-G100	内存密度：	8388608 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	32
端子数量：	100	字数：	262144 words
字数代码：	256000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX32
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QFP	封装等效代码：	QFP100,.7X.9
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	1024	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.003 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.33 mA	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.635 mm	端子位置：	QUAD
Base Number Matches：	1

HM5283206FP-8 数据手册

HM5283206 Series

8M LVTTL interface SGRAM

125 MHz/100 MHz/83 MHz

128-kword × 32-bit × 2-bank

ADE-203-223F (Z)

Rev. 6.0

Oct. 2, 1998

Description

All inputs and outputs signals refers to the rising edge of the clock input. The HM5283206 provides 2

banks to realize better performance. 8 column block write function and write per bit function are provided

for graphic applications.

Features

•

3.3V Power supply

Clock frequency: 125 MHz/100 MHz/83 MHz (max)

LVTTL interface

2 Banks can operates simultaneously and independently

Burst read/write operation and burst read/ single write operation capability

Programmable burst length: 1/2/4/8/full page

2 variations of burst sequence

Sequential (BL = 1/2/4/8/full page)

Interleave (BL = 1/2/4/8)

•

Programmable CAS latency: 1/2/3

Byte control by DQM

8 column block write function with column address mask

Write per bit function (old mask)

Refresh cycles: 1024 refresh cycle/16 ms

2 variations of refresh

Auto refresh

Self refresh

12 3 4 5 6 7...80

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与HM5283206FP-8相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HM5283206TT-10	HITACHI	获取价格	Synchronous DRAM, 256KX32, CMOS, PDSO80, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-80
HM52Y25165B-B6	ELPIDA	获取价格	256M SDRAM 100 MHz 4-Mword × 16-bit × 4-bank
HM52Y25165BTT-B6	ELPIDA	获取价格	256M SDRAM 100 MHz 4-Mword × 16-bit × 4-bank
HM52Y25405B-B6	ELPIDA	获取价格	256M SDRAM 100 MHz 4-Mword × 16-bit × 4-bank
HM52Y25405BTT-B6	ELPIDA	获取价格	256M SDRAM 100 MHz 4-Mword × 16-bit × 4-bank
HM52Y64165FTT-75	HITACHI	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
HM52Y64165FTT-80	HITACHI	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
HM52Y64405FTT-75	HITACHI	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX4, 5.5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
HM52Y64405FTT-80	HITACHI	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
HM52Y64805FTT-75	HITACHI	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX8, 5.5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54

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