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HM52Y25405BTT-B6

更新时间： 2024-10-28 05:36:11

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尔必达 - ELPIDA		动态存储器
页数	文件大小	规格书
60页	347K
描述
256M SDRAM 100 MHz 4-Mword × 16-bit × 4-bank /16-Mword × 4-bit × 4-bank

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HM52Y25405BTT-B6 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2,
针数：	54	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.24
风险等级：	5.92	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PDSO-G54	长度：	22.22 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	4	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64MX4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	225
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

HM52Y25405BTT-B6 数据手册

HM52Y25165B-B6

HM52Y25405B-B6

256M SDRAM

100 MHz

4-Mword × 16-bit × 4-bank /16-Mword × 4-bit × 4-bank

E0146H10 (Ver. 1.0)

Preliminary

May. 28, 2001

Description

The HM52Y25165B is a 256-Mbit SDRAM organized as 4194304-word × 16-bit × 4 bank. The

HM52Y25405B is a 256-Mbit SDRAM organized as 16777216-word × 4-bit × 4 bank. All inputs and outputs

are referred to the rising edge of the clock input. It is packaged in standard 54-pin plastic TSOP II.

Features

•

2.5 V power supply

Clock frequency: 100MHz (max)

Single pulsed RAS

4 banks can operate simultaneously and independently

Burst read/write operation and burst read/single write operation capability

Programmable burst length: 1/2/4/8

2 variations of burst sequence

 Sequential (BL = 1/2/4/8)

 Interleave (BL = 1/2/4/8)

•

Programmable CAS latency: 2, 3

Byte control by DQM : DQM (HM52Y25405B)

: DQMU/DQML (HM52Y25165B)

Refresh cycles: 8192 refresh cycles/64 ms

2 variations of refresh

•

 Auto refresh

 Self refresh

Preliminary: The Specifications of this device are subject to change without notice. Please contact to your

nearest Elpida Memory, Inc. regarding specifications.

This product became EOL in April, 2004.

Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HM52Y64165FTT-75	HITACHI	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
HM52Y64165FTT-80	HITACHI	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
HM52Y64405FTT-75	HITACHI	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX4, 5.5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
HM52Y64405FTT-80	HITACHI	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
HM52Y64805FTT-75	HITACHI	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX8, 5.5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
HM52Y64805FTT-80	HITACHI	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
HM53	TTELEC	获取价格	High Power Low Cost Inductors
HM530	ETC	获取价格	Analog IC
HM53-000R8VLF	TTELEC	获取价格	High Power Low Cost Inductors
HM53-000R8VLF	TTELEC	获取价格	High Power Low Cost Inductors

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