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HM3E65728BM-9:D

更新时间: 2024-09-21 20:41:55
品牌 Logo 应用领域
TEMIC ATM异步传输模式静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
2页 77K
描述
Standard SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC, PACKAGE-24

HM3E65728BM-9:D 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.73
最长访问时间:45 nsJESD-30 代码:R-PDIP-T24
内存密度:16384 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:24
字数:2048 words字数代码:2000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:2KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

HM3E65728BM-9:D 数据手册

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